РЕЗОНАНСНЫЙ ДАТЧИК УРОВНЯ Советский патент 1970 года по МПК G01F23/284 

Настоящее изобретение относится к области измерения уровня жидких сред резонансными средствами.

Известные резонансные датчики уровня не обладают достаточной точностью непрерывного измерения уровня криогенных жидкостей, вследствие подверженности влиянию дестабилизирующих факторов и чмалой величины выходного сигнала.

В предлагаемом датчике для повыщения точности каждый отрезок длинной линии образован из двух участков длиной, равной половине высоты датчика, с различными вол овыми сопротивлениями, причем волновое сопротивление одного из участков много меньше волнового сопротивления другого участка того же отрезка, а участки с различными волновыми сопротивлениями расположены по высоте датчика так, что участку с низким волновым сопротивлением в одном отрезке соответствует участок с высоким волновым сопротивлением в другом отрезке, и волновое сопротивление выше расположенного участка одного канала равно волновому сопротивленик) ниже расположенного участка другого канала.

Датчик представляет собой два неоднородных отрезка длинных линий (два канала) / и 2, разделенных между собой межканальным экраном 3. Каналы У и 2 состоят из двух однородных участков 4 5 вы-сотой- , где Но -

высота датчика, причем волновое сопротивление участка 4 много больще волнового сопротивления участка 5. Нагрузкой каналов являются индуктивности 6, 7, необходимые для выравнивания электромагнитного поля вдоль каналов.

Работа датчика происходит следующим образом. При заполнении датчика контролируемой средой резонансная частота канала / датчика изменяется по характеристике 8, а канала 2 - по характеристике 9. Измерение уровня сводится к определению вторичной аппаратурой разности резонансных частот каналов и индикации положения уровня по отноЯ„

шению к

для исключения двузначности

выходной характеристики 10.

отличающийся тем, что, с целью повышения точности, в нем каждый отрезок длинной линии образован из двух участков длиной, равной половине высоты датчика, с различными волновыми сопротивлениями, причем волновое сопротивление одного из участков много меньше волнового сопротивления другого участка того же отрезка, а участки с различными волновыми сопротивлениями расположены по

высоте датчика так; что участку с низким волновым сопротивлением в одном отрезке соответствует участок с высоким волновым сопротивлением в другом отрезке, и волновое сопротивление выше расположенного участка одного канала равно волновому сопротивлению ниже расположенного участка другого канала.

1(мгц)

ч Фиг. J