ГЕНЕРАТОР ТРАПЕЦЕИДАЛЬНЫХ ИМПУЛЬСОВ С УПРАВЛЯЕМЫМ ЭКСПОНЕНЦИАЛЬНЫМ СПАДОЛ1 Советский патент 1970 года по МПК H03K3/16 

Устройство предназначено для применения в области радиотехники и самонастраивающихся системах автоматического управления.

Генераторы траиецеидальных импульсов с управляемым э-ксноненциальным спадом, содержащие транзисторы, коллекторы и базы которых соедииень с обмоткама двух сердечников, выходной трансформатор и унравляемыГ дроссель «асыщения, известны.

К недостаткам известных устройств относится их малая стабильность .и .неустойчивость работы из-за влияния рода нагрузки и предела ее .изменения.

Предложенный генератор трапецеидальных импульсов с управляемым экспоненциальным спадом отличается от известных те.м, что коллекторная цегп) каждого транзистора подключена к последовательно соединенным первичной обмотке выходного трансформатора и бинарной обмотке управляемого дросселя насыщения, а базовая цепь каждого нз транзистороа подсоединена к согласозанно- последовательны.м обмоткам выходного трансформатора и унравляемото дросселя .насыщения.

Это повышает стабильность и устойчивость работы генератора импульсов.

Принципиальная схема предложенного генератора приведена на чертеже.

/, //, /// и IV. На сердечниках / и // расположены базовые обмотки 3 и 4, основные коллекторные o6iMOTKH 5 и 6 :Н обмоткш управ.ления 7 ц 8.

На сердечнике /// расположены синхронизирующие коллекторные обмотки 9 и 0, выходная обмотка И ,н обмотки 12 и 13 обратных связей, образующие двумерную систему обратных связей трансформатора. На сердеч пике IV намотаны бинарные об.мотын 14 т 15 и обмотки 16 и 17 обратных связей, образуюЩ ие двумерную систему обратных связей упра1вляемого дросселя насыщения. Для создания необходимого смещения .в цепи эмиттербаза служит резистор 18. Опорпыми резисторами в коллекторных цепях служат резистооы 19 (И 20.

Унравленне по частоте в нредлагаемом генераторе осуществляется снециальным контуром

управления, состоящим нз двух зстречно включенных обмоток 7 и 8 и двух информацио.нных датчиков на диодах 21 и 22, нсточшжах 23 и 24 и резисторах 25 и 26. Информационные датчики и обмотки 7 и 5 образуют симматричную схему моста, разбаланс по току которого изменяет реактивное сопротивление к .передаточный коэффициент основной электромагнитной системы на сердечниках / и //. Обратная связь, уста.новленная между сердечниработу генератора и определяет динамику процесса генерации. Для изменения периола генерации необходимо изменить лередаточный коэффициент обратной связи, что достигается изменением напряжения или тока, паступающего от 1И,нфорМац.ионных датчиков.

Схема генератора работает следующим образом.

Пусть в некоторый молгент :Времени в :симметричной схеме генератора появится разбаланс, вызываемый различием динамическ1их и статических характеристик магнитотранзистор:ных элементов схемы. Вследствие этого из тра.нЗИсторОБ, нанример /, будет открываться, а транзИСтор 2 закрываться. Процегсс закрытия и открыт1ия транзисторов характеризуется скоростью изменения магнитных ПОТОКОВ iB сердечниках /, //, ///, IV. Изменение магнитных потоков ,в сердечниках наводит э.д.с. во всех обмотках магнитной системы, которые включены .в базовые цепи транзисторов та.к, что .в базовой цеп1И открывающегося транзистора 1 наводится положительная э.д.с., а в базовой цепи закрывающегося транзистора 2,паводится отрицательная э.д.с. В этом случае э.д.с., наведенная на базовой обмотке 4, усиливает запирание транзистора 2. В свою очередь, э.д.с., наведенная яа базовой обмотке 3, еще в больщей степени отаирает транзистор 1. Коллекторный ток этого транзистора увеличивается до тех ПОр, пока не наступит .насыщение основного сердечника /. При этом ток намагничивания сердечника резко возрастет, а поскольку ток базы остается .неизменным, то транзистор / .выходит из области .насыщения и переходит в активную область. Переход транз1истора шз области насыщения в активную область сопровождается ростом его сопротивления. Это приводит к тому, что ток намагничивания начинает быстро уменьшаться, а индуктируемая э.д.с. на базовой обмотке 3 .надает до нуЛЯ. ПоСледнее вызывает изменение полярности э.д.с., что приводит к закрыванию трананстора / и открыва.нию транзистора 2. Далее процесс генерации периодически повторяется.

Процесс формирования экононенциального спада в коллекторной це0и транзистора .происходит следующи.м образом.

При закрытии транзистора / коллекторНый ток последнего уменьщается «о экспоненте до некоторой минимальной величи.ны, ра.вной току отсечки транзистора. Это нроисходит в мо.мент полного закрытия транзистора, когда на

реа.ктнвном сОПр.отивлении коллекторной цени транзистора / появится э.д.с. самоиндукции, которая поддерж.ивает в течение .цервого полупериода ток того же .направления, которое он имел до закрытия тра.нзистор:а. В свою очередь, во Второй полуиериод генерации транзистор 2 открывается, и его коллекторНый ток возрастает по экопоненте, достигая Вынужденного значения. Это происходит в момент открытия транзистора 2, когда на его реактивном сопротивлении коллекторной цепи появится Э.Д.С. самоиндукции, которая поддерживает в течение второго полупериода ток того же направления, что н до открытия транзистора. Поэтому ток .в коллекторной цепи, содержащей индуктивно-актнвную нагрузку, спадает по экспоненциальному закону.

Предмет изобретения

Гене ратор тралецеидальных импульсов с управляемым экспоненциальным спадом, содер.жащ1ий транзисторы, коллекторы и базы которых соединены с обМОтками двух сердечНИК01В, выходной трансформатор и унравляемый дроссель насыщения, отличающийся тем, что, с целью новышения стабильности и устойчивости работы, коллекторная цепь каждого транзистора подключена к последовательно соединенным первичной обмотке .выходного

трансформ атора ;и -бинарной обмотке управляемого дросселя насыщения, а базовая цепь каждого из транзисторов подсое,Д|Инена к согласаванно-последовательным 1обмоткам выходного трансформатора и управляемого

дросселя насыщения.

г; 23 25 -И-,26, г 2 -И