ГЕНЕРАТОР ПРЯМОУГОЛЬНЫХ ИМПУЛЬСОВ Советский патент 1971 года по МПК H03K4/28 

Известны генераторы нрямоуго.тьных импЗЛьсов, вынолненные на транзисторах с прилюнением .линии задержки.

Однако известные схемы обладают тем недостатком, что длительность импульса и длительность заднего фронта импульса зависят от времени рассасывания накопленного заряда неосновных носителей при включении транзистора.

Предлагаемое устройство отличается от известных тем, что коллектор основного транзиciOpa через конденсатор и резистор подключен к коллектору дополнительного транзистора нротивоноложного типа проводимости, база которого через конденсатор соеди}1ена со средним отводом линии задержки и через резистор с обш,ей шиной.

На чертеже представ.тена схема предлагаемого устройства.

Транзисторы У и 2 н. з. нулевым потенциалом. Входной импульс поступает на базутраизкстора /. С коллектора этого транзистора поступает через RC u,enb на ко.ллектор донолнительного транзистора 2 и на вход линии задержки 5. Сопротивление закрытого транзистора 2 велико по сравнению с величиной еопротивления 4, поэтому почти все напряжение импульса передается на колле)стор транзистора 2.. Через время-ц , определяемое положением отвода линии задержки на базу тра 1зиетора 2, приходит импульс и переводит его в насыщешюе состояние. Так как величина сопротивления насыщенного транзистора 2 мала по сравнению с величиной сопрогивлення 4, то все напряжение выделяется на сопротивлении 4, а на коллекторе транзистора напряжение резко падает до нуля, поэтому длительность заднего фронта импульса определяется временем включения транзистора 2, что з 1ачител 110 меньше времени выхода транзистора нз режима насыщения. Поскольку длительноеть заднего фронта импульса входит в величину д.тителыюстн имгАльса, то исключение нестабильного времени выхода транзистора ))з режима насыщения повышает стабильность длнтельностн имиульса.

Пред м е т н з о б р е т е н и я Генератор прямоуго, импульсов, содержащий основной уеилительпый транзистор, в коллекторную цель которого включена линия задержки, отличающимися тем, что, с целью повышения стаби.тькостн н уменыиения заднего фронта импульса, коллектор ое1ЮВ 1ого транзистора через конденсатор и резистор иодключен к коллектору дополнительного транзистора противополо;киого тппапрог.одимости, база которого через конденсатор соединена со средним отводом линни задержки и через резистор с общей mnnoii.

Гт

,