УСТРОЙСТВО для ИЗМЕРЕНИЯ РАЗНОСТИ ТЕМПЕРАТУР Советский патент 1971 года по МПК G01K3/08 

Изобретение относится к датчикам разности температур и быть использовано в системах управления и контроля и системах регулирования.

Известны датчики разности температур, представляющие собой последовательное включение двух выпрямительных мостов, в диагональ каждого из которых включен в качестве термочувствительного элемента полупроводниковый диод в обратном включении.

Недостатком подобных схем является сложность их настройки и подбора составляющих элементов, а также недостаточно высокая динамическая чувствительность и точность.

С целью повышения динамической чувствительности и точности, упрощения схемы и облегчения ее настройки, в предложенном устройстве в цепь базы транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером с резистором нагрузки в цепи коллектора, подсоединен своей средней точкой делитель напряжения, выполненный на двух последовательно соединенных диодах с р-л-переходами, смещенными в обратном направлении, находящихся соответственно в контролируемых средах.

На чертеже показана принципиальная электрическая схема устройства.

Схема работает следующим образом. Входной сигнал, снимаемый со средней точки управляемого делителя напряжения, зависит от разности температур среди, в которых находятся диоды 3, 4, подается на базу транзистора/и тем самым управляет величиной коллекторного тока транзистора /. Входной сигнал, пропорциональный величине коллекторного тока, снимается с резистора 2, и, следовательно, определяется величиной разности температур, воспринимаемых диодами 3 v( 4.

Предмет изобретения

Устройство для измерения разности температур, содержащее транзистор, включенный по схеме с общим эмиттером, в коллекторную цепь которого включен резистор нагрузки, другой конец которого подсоединен к минусу источника постоянного напряжения, плюс которого подсоединен к эмиттеру, отличающееся тем, что, с целью повышения точности и динамической чувствительности, оно снабжено делителем напрял ;ения, выполненным на двух последовательно соединенных диодах с р-л-переходами, смещенными в обратном направлении, расположенных соответственно в контролируемых средах, причем средняя точка делителя напряжения соединена с базой транзи- +