ДАТЧИК НАПРЯЖЕННОСТИ МАГНИТНОГО ПОЛЯ Советский патент 1971 года по МПК G01R33/02 

Пзобретение относится к области магнитных измерений и предназначеью для измерения напряженности магнитных полей.

Известные датчики напряженности магнитного поля, содержащие пластинку из полупроводникового материала с токовыми контактами, не обеспечивают линейной зависимости выходного напряжения от напряженности магнитного ноля в широком диапазоне измеряемой величины.

Предлагаемый датчик отличается от известных тем, что нолунроводниковая пластинка выполнена в виде диска, на протнвоположных сторонах боковой поверхности которого расположены дугообразные токовые контакты, причем длина каждой дуги составляет /4 длины окружности.

Благодаря такому выполнению датчика повышается линейность его выходной характеристики.

Па чертеже изображен нредлагаемый датчик.

Датчик состоит из нолупроводникового диска 7, произвольного радиуса и толш,иной /г порядка.0,2--1 мм. На боковой поверхности дискл панесены токовые невыпрямляюниш контакты 2 в виде двух симметрично раснолол :енных дуг с раствором угла а 90°.

сталл с копцентрацнен носителей тока п при комнатной температуре н.орядка Ю--

слГ. В магнитном ноле Н, удовлетворяющем усхЯ

ловию - 1, где I.L - подвижность

носптес

лей тока, с - скорость света, полное сопротивление R датчпка, плоскость которого перпендикулярна снловым лннпям ноля, выражается соотношением

А/ -Я, епс/1

откуда Н /;е/гс-/ const/,

1-де RO - сопротивление датчика в отсутствии

MarniiTHoiO поля, .Л/ - нриращенне сонрогпвления в магнитном поле, е - заряд носителя

тока.

Лине1 |ная завиеимость между напряженностью магпитиого поля Н и полным сопротив0ленпем диска R позволяет определять величппу панря/ке пюсти по измереппым зпачениям сопротивлепия датчика.

Датчик диаметром 5 мм из монокристалла

5 Insb с коинептрацией носителей тока /г 5-10ч позволяет нзмерять напряженность магнитного поля от О до 40000 э. Датчики из германия и кремиия могут расширить диапазоп измеряемых полей до 500000 э.

Предмет изобретения

Датчик напряженности магнитного поля, содержащий иластинку из полупроводникового материала с токовыми контактами, отличающийся тем, что, с целью получения линейной выходной характеристики датчика, полуироводниковая пластинка выполнена в виде диска, на противоположных сторонах боковой поверхности которого расноложены дугообразные токовые контакты, причем длина каждой дуги составляет V4 длины окружности.