МУЛЬТИВИБРАТОР НА ТРАНЗИСТОРАХ Советский патент 1971 года по МПК H03K3/30 

Предлагаемый мультивибратор может быть использован в различных импульсных устройствах радиоэлектронной техники в качестве генератора с повышенной скважностью генерируемых импульсов.

Известны мультивибраторы на транзисторах с коллекторно-базовыми связями, имеющие в качестве одного элемента связи конденсатор, а в качестве другого - резистор. Известные мультивибраторы генерируют импульсы прямоугольной формы с максимальной скважностью порядка 20.

Однако известные мультивибраторы обладают ограниченной скважностью.

С целью увеличения сквалсности генерируемых импульсов в предлагаемом мультивибраторе последовательно с конденсатором емкостной связи включен диод, анод которого соединен с конденсатором, при этом регулирование скважности производится резистором, включенным параллельно диоду.

На чертеже дана схема предлагаемого мультивибратора.

Мультивибратор выполнен с коллекторнобазовыми связями. Конденсатор связи / через диод 2, подключенный плюсовым выводом к конденсатору, соединяет коллектор транзистора 3, подключенный к минусу источника питания Ек через резистор 4, с базой транзистора 5, подключенной к минусу источника питания

Ек через резистор 6. Транзистор 5 включен в инверсном направлении. Вторым элементом связи является резистор 7, включенный между базой транзистора 3 и эмиттером транзистора 5, соединенным с минусом источника питания Ек. через резистор S.

Мультивибратор работает следующим образом. Конденсатор I периодически заряжается и

разрял ается. В стадии заряда транзистор 5 закрыт, а транзистор 5 насыщен. Заряд происходит по цепи: плюс источника питания Ек, входное сопротивление транзистора 5, обратное сопротивление диода 2, конденсатор /, резистор 4 и минус источника питания Ек. Время заряда определяется обратным сопротивлением диода 2, которое можно регулировать резистором 9. По мере заряда конденсатора / ток базы транзистора 5 уменьшается и в некоторый момент времени принимает значение, при котором транзистор 5 после завершения процесса рассасывания избыточных неосновных носителей в его базе выходит из насыщения.

Вследствие этого возникает лавинообразный процесс, приводящий к иасыи;ению транзистора 3 и запиранию транзистора 5.

тивление источника питания Ек, сопротивление, эмиттер, коллектор транзистора 3, обкладка конденсатора /. Время разряда определяется величиной сопротивления резистора в, которая при инверсном включении транзистора 5 на порядок ниже, чем при прямом включении. Наряду с зарядом конденсатора / через обратное сопротивление диода 2 уменьшение величины сопротивления резистора 6 увеличивает скважность генерируемых импульсов.

По мере разряда конденсатора / изменяется базовое напряжение транзистора 5 в сторону меньших положительных значений. В некоторый момент времени это напрял ение достигает величины, при которой транзистор 5 открывается.

В следующей стадии оба транзистора открыты, и процесс опрокидывания развивается лавинообразно. В результате транзистор 5 переходит в насын енное состояние, а транзистор 3 - в закрытое.

Далее процессы повторяются.

Предмет изобретения

Мультивибратор на транзисторах с резистивной и емкостной коллекторно-базовыми связями, один из транзисторов которого включен в инверсном направлении, отличающийся тем, что, с целью увеличения скважности генерируемых импульсов, последовательно с конденсатором емкостной связи включен диод, анод которого соединен с конденсатором, ири этом регулирование скважности производится резистором, включенным параллельно диоду.