ОДНОВИБРАТОР Советский патент 1971 года по МПК H03K3/284 

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в различных схемах автоматики, вычислительной техники и электронной защиты.

Одним из важнейших параметров одновибратора является время восстановления. Как известно, в «классической схеме одновибратора после окончания выходного импульса следует этан восстановления, заключающийся в заряде хронирующего конденсатора до установивщегося значения напряжения. Причем до полного восстановления при поступлении очередного пускового импульса одновибратор либо выдает укороченный имнульс, либо вообще не срабатывает.

Известны схемы одновибраторов, в которых восстановление напряжения на хронирующем конденсаторе происходит в течение выходного импульса одновибратора, поэтому очередной пусковой импульс может поступать непосредственно по окончании выходного импульса одновибратора, т. е. такие схемы принципиально обладают «нулевым времене.м восстановления.

Для получения «нулевого времени восстановления при одновременном снижении длительности и мощности входных импульсов в предлагаемом одновибраторе общая точка соединения конденсатора и полупроводникового диода, подключенных к базе транзистора

блокинг-генератора, подсоединена через резистор к базе транзистора выходного ключевого каскада.

На чертеже приведена схема предлагаемо5 го одновибратора.

Одновибратор содержит заторможенный блокинг-генератор, выполненный на транзисторе 1 р-я-р-типа и трансформаторе 2, и выходной ключевой каскад на транзисторе 3 0 п-р-п-типа.

Блокинг-генератор выполнен по схеме с общим эмиттером. Общая точка соединения хронирующего конденсатора 4 и полупроводникового диода 5 подсоединена через рези5 стор 6 к базе транзистора 3. Питание схемы осуществляется от источника 7. В исходном состоянии транзистор / закрыт, конденсатор 4 зарял :ен почти до напряжения источника 7, а транзистор 3 открыт базовым током, проте0 кающим по резистору 8. (Для исключения протекания этого тока в цепь диода 5 применяется резистор 6. При поступлении пускового импульса на базу транзистора / начинается блокинг-процесс, и транзистор 3 запи5 рается напрял :ением на базовой обмотке трансформатора 2. В течение блокинг-процесса конденсатор 4 дозаряжается на величину напряжения, практически равную напряжению на базовой обмотке трансформатора 2. 0 По окончании блокинг-процесса транзистор 1

запирается, а конденсатор 4 начинает разряжаться через резисторы 5 и 5, диод 9 и резистор 10. При этом диод 5 и транзистор 3 продолжают оставаться закрытыми. В момент, когда напряжение на базе транзистора 3 изменит знак относительно его эмиттера, транзистор 3 и диод 5 открываются и схема возвращается в исходное положение. Поскольку обычно сопротивление резистора 8 на один-два порядка больше сопротивлений резисторов 6 и 10, то время восстановления напряжения на конденсаторе 4 определяется практически величиной сопротивления резистора 8, емкостью конденсатора 4 и переменной составляющей напряжения на этом конденсаторе.

Таким образом, длительность выходного импульса одновибратора, соответствующая времени закрытого состояния транзистора 1, складывается из времени блокинг-процесса и несоизмеримо большего времени восстановления напряжения на хронирующем конденсаторе 4.

Предлагаемая схема обладает «нулевым временем восстановления, ибо пусковой импульс может поступать на вход схемы непосредственно после окончания выходного импульса, так как напряжение на хронирующем конденсаторе в конце выходного импульса становится равным исходному значению.

Предмет изобретения

Одновибратор, содержащий входной заторможенный блокинг-генератор на транзисторе р-п-/э-типа, включенном по схеме с общим эмиттером, с конденсатором и полупроводниковым диодом, подключенными к базе последовательно с обмоткой трансформатора блокинг-генератора, и выходной ключевой каскад на транзисторе п-р-л-типа, включенном по схеме с общим эмиттером, отличающийся тем, что, с целью получения «нулевого времени восстановления при одновременном снижении длительности и мощности входных импульсов, общая точка соединения упомянутых конденсатора и полупроводникового диода подсоединена через резистор к базе транзистора п-р-п-типа.