УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЗАПИСИ ИНФОРМАЦИИ^Ct:UUrUor-iArlПАТЕНИШ-ТШй^ЕШ!^ ЕИБЛИОТША Советский патент 1971 года по МПК G11B11/08 

Изобретение отнасится к технике записи информации на деформируемых термопластических носителях электрофотограф.ическим способом.

Известно устройство для записи .информации, IB котором блок управления выполнен в виде металлаво.покнИСтой пластины. На одну ,из ее iCTOpoH на торцы металлических стержней нанесен фотополупроводниковый слой, покрытый прозрачной электропроводящей пленкой.

Известное устройство значительно ограничивает спектральную область лр.именения фотонолупроводникового слоя.

Оп-исываемое устройство позволяет повысить однородность электрических свойств фотополупроводникового слоя, устранить нараз-итную засветку считьввающим световым потоком.

Указанные недостатки устра1няют1ся в результате того, что на каждую сторону мегалловолокнистой нластины нанесены дырчатые электроды, один .из которых покрыт фото.полупроводниковым -слоем, а другой - пассивным слоем - сонротивлением.

На чертеже схематически изображено устройство для записи .информации.

рола толщиной ,20 мкм. На расстоянии 20- 30 мкм от поверхности слоя 3 помещена металловолоконная пластина 4.

Пластина 4 изготовлена из диэлектрического материала, например непрозрачного стекла, сквозь который лротянуты тонкие металлические волокна 9. Слой 5 может быть изготавлен, например, из CdSe и иметь толщину пр(Иблизительно 2 мкм. Слои б :и 7 можно изготовнть, например, из платины.

В местах, соответствующих выходу волокон 9 на обе поверхности пластины 4, в слоях 6 и 7 выполнены отвер.стия. Слой 5 ,и слой - сопротивление 8, .нанесенные соответственно

на слои 6 и 7, имеют электрические контакты с волокнамн 9. Для обеснечения о.мическнх контактов концы волокон 9 могут быть специально обработаны, например позолочены. Кроме того, слой 5 имеет контакты со слоем

6, а слой 8 - со слоем 7. Слой - со.протиБление 8 может быть изготовлен, например, из силицида кремния.

Электронроводящне слон 2, 6 к 7 подключены к различным нолюсам источника W напряжения.

При экспонировании фотополупроводнико1ВОГО слоя 5 световым изображением (стрелки) вследствие изменения сопротивления слоя 5 изменяется ток, протекающий через металлиыенение потенциалов металлических волокон, которое зависит от величины тока, и следовательно, распределение потенциалов металлических волокон соответственно световому изображению. Таким образом, электрическое поле, возникающее между поверхностью металловолоконной лластины, обращенной к термопластическо.му слою 3, и электропроводящем слоем 2, модулируется .изображением, и иа поверхности слоя 3 .возникает электрический рельеф, соответствующий световому изображению. Электрический рельеф может быть преобразован в механические деформации поверхности слоя 3 путем доведения последнего каким-либо из известных способов (например, высокочастотным нагревом слоя 2) до размягченного состояния. Механические деформации .могут быть зафиксированы, а после этого воспроизведены в форме светового изображения с домощью известных систем щелевой оптики. Из изложенного выше ясно, что данное ycTj ройство не накладывает строгих ограничений на толщииу фотонолупроводникового слоя 5, в частности, допускается применение сравн.ительно тонких слоев. Изготовление то.нких однородных ло электрическим свойствам слоев не вызывает существенных затруднений. Таким образом удается устранить помехи, возникающие из-за неоднородности электрических овойспв слоя 5. Так как .металловолоконная пластина 4 изготавливается ,из непрозрачного материала, то нри проведении контроля процесса записи микрорельефа фотополупроводниковый слой 5 не подвергается паразитной засветке считывающим световым потоком. Предмет изобретения Устройство для записи .информации, например, на термопластических слоях, состоящее из деформируемого носителя и блока управления деформация.ш носителя, содержащего непрозрачную металловолокнистую пластину, отличающееся тем, что, с целью расщирения области лрименения, на каждую сторону металловолокнистой нластины нанесены дырчатые электроды, один из которых локрыт фотополунроводниковым слоем, а другой - нассивны.м слоем - сопротивлением.