МУЛЬТИВИБРАТОР Советский патент 1971 года по МПК H03K3/282 

Изобретение относится к области имнульсной техники и может быть использовано в устройствах автоматики и промышленной электроники.

Известен низкочастотный мультивибратор, генерируюищй импульсы большой длительности, выполненный по симметричной схеме на транзисторах одинакового типа проводимости, содержащий в каждой цепи связи два дополнительных соединенных последовательно транзистора с противоположным транзисторам мультивибратора типом проводимости, включенных между базами основных транзисторов мультивибратора и отрицательным полюсом источника питания, причем один из этих дополнительных транзисторов включен по схеме с общим эмиттером, а другой - по схеме с общим коллектором.

Недостаток известного мультивибратора состоит в низкой температурной стабильности длительности и периода генерируемых импульсов.

Цель изобретения - повышение температурной стабильности длительности и нериода генерируемых импульсов.

Это достигается тем, что базы нервых дополнительных транзисторов через времязадающие конденсаторы, а базы вторых дополнительных транзисторов через времязадающие резисторы подсоединены к обшей шине, причем эмиттеры и базы первых дополнительных транзисторов соединены через диоды с коллекторами основных транзисторов противоположных плеч мультивибратора.

Принципиальная схема мультивибратора приводится на чертеже.

МуоТьтивибратор выполнен но симметричной схеме на транзисторах 1 и 2 р-/г-р типа проводимости. В каждой его цепи связи последовательно включены два донолнительных транзистора 3, 4 ii 5, 6 п-р-п типа проводимости, причем транзисторы 5 и 5 включены по схеме с общим коллектором, а транзисторы 4 и 6 - по схеме с общим эмиттером.

Базы транзисторов 3 и 5 через времязадаюшие конденсаторы 7 и 5 подсоединены к общей щине источника питания, базы траизпсторов 4 и 6 через времязадающие резисторы 9 и }0 также - к общей щине источника питания. Диоды 11, 12 и 13, 14 соединяют эмиттер и базу транзистора 3 и эмиттер л базу транзистора 5 с коллектором транзистора 2 и коллектором транзистора 1 соответственно. Заряд времязадающих конденсаторов 7 и

8 производится базовым током соответствующих транзисторов 3 и 5. Конденсаторы заряжаются через базовые нереходы транзисторов 3 и 5, коллекторно-эмиттерные переходы транзисторов 4 и 5 н источник питания. За счет этого время заряда конденсаторов, и.

с.тедователыю, длительность импульсов, генерируемых мультивибратором, увеличивается в /5 раз, где /3 - коэффициент усиления тран3iiCTOpa 3 по току. Так как в процессе заряда конденсаторов зарядный ток уменьшается, необходима его стабилизация. В качестве стабилизирующих элементов применены транзисторы 4 W. 6, включеннь1е по схеме с общим эмиттером, токи базы которых стабилизированы высокоомным сопротивлением времязадающих резисторов 9 и 10 соответственно. Транзисторы 3, 5 1 4, 6 выбираются однотипными с одинаковым1И изменениями коэффициентов усиления по току в интервале рабочих температур. В этом случае при измеиеиин температуры окружающей среды изменяются коэффициенты усиления транзисторов по току, а также коллекторные токи транзисторов 4 и 6, которые одновременно являются эмиттерными токами транзисторов 5 и 5, а базовые токи транзисторов 3 и 5 остаются неизменНЬ МИ.

Мультивибратор может работать в ждущем . Тогда дополнительные транзисторы включают в одну цепь связи, а времязадающие ко денсатор и резистор включают выщеописаниым образом.

Предмет изобретения

Мультивибратор, генерирующий импульсы больщой длительности, выполненный по симметричной схеме на р-п-р транзисторах, содержащий в каждой цепи связи два дополнительных включенных последовательно

п-р-п транзистора, подсоединенных между базами основных транзисторов мультивибратора и отрицательным полюсом источника питания, при этом первый из них включен по схеме с общим коллектором, а

второй - ио схеме с общим эмиттером, отлпчающийся тем, что, с целью повыщения температурной стабильности длительности и периода геиер ируемых импульсов, базы первых дополнительных транзисторов через времязадающие конденсаторы, а базы вторых - через времязадаюндне резисторы подсоединепм к общей щине, причем эмиттеры и базы первых дополпительных транзисторов соединены с коллекторами основных транзисторов противоположиых плеч мультивибратора.