ДИСКРЕТНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ОТРАЖАЮЩИЙ Советский патент 1971 года по МПК H01P1/185 

Изобретение относится к технике СВЧ-диапазона и может быть использовано в дискретно-коммутационных антенных решетках и других схемах, где необходимо скачкообразно менять фазу волны. Известны дискретные полупроводниковые отражающие фазовращатели, содержащие отрезок закороченного волновода, в котором вдоль оси включены стоящие один за другим несколько коммутирующих полупроводниковых диодов. с целью расширения полосы частот в предлагаемом устройстве перед первым диодом на расстоянии V4 расположен .резонансный контур. На фиг. 1 изображена электрическая схема предлагаемого фазовращателя; на фиг. 2- фазочастотные характеристики. Отражающий фазовращатель, состоящий 43 ряда , стоящих друг за другом коммутирующих диодов 1, обеспечивает N состояний фазы. Перед первым коммутирую-распощим диодом на расстоянии около

лягается компенсирующий реактивный элемент 2, выполненный в виде резонансного контура, настроенного на среднюю частоту. За начальный отсчет принята фаза волны, отПредмет изобретения

Дискретный полупроводниковый отражающий фазовращатель, состоящий из отрезка закороченного волновода, в котором вдоль раженной от первого коммутирующего диода. В этом случае фазочастотнЫе характеристик ки других состояний имеют вИд почти пря мых линий. Наклон которых увеличивается по мере удаления отражающего коммутирующего диода от первого. Так как компеьсируX и ющии контур расположен на расстоянии в - от первого коммутирующего диода, то амплитуда стоячей волны в первом состоянии на контуре максимальная, и он максимально влияет на изменение фазы в диапазоне частот. При отралсении волны от среднего коммутирующего диода, когда , в области компенсирующего элемента находится минимум стоячей волны и не наблюдается увеличения частотной зависимости фазы в этом состоянии. При всех других состояниях фазы на конпенсирующем контуре напряжение поля стоячей волны меньше, чем в первом состоянии, и влияние компенсирующего контура становится неполным. йси включены стоящие один за другим несколько коммутирующих полупроводниковых диодов, отличающийся тем, что, с целью расширения полосы частот, перед первым диодом на расстоянии V-i расположен резонансный контур;

М-1