ОПТОЭЛЕКТРОННЫЙ ГЕНЕРАТОР Советский патент 1971 года по МПК H03K3/42 

Изобретение относится к области автоматики, измерительной и счетно-решающей техники, а именно, к оптоэлектронным генераторам прямоугольных импульсов.

Известны оптоэлектронпые генераторы прямоугольных импульсов с регулируемой частотой, в которых изменение частоты генерируемых импульсов происходит под действием внешнего сигнала. Педостаток известных устройств состоит в том, что они не обеспечивают регулирования частоты следования импульсов в широких пределах и не обладают требуемой температурной стабильностью.

Цель изобретения - устранение указанного недостатка, что достигается благодаря включению фотодиода первого оптрона устройства в обратной полярности между источником питания и точкой соединения сопротивления и конденсатора времязадаюш,ей цепи, а фотодиода второго оптрона - в обратной полярности между источником питания и базой транзистора.

На чертеже приведена принципиальная схема предложенного устройства, которое содержит транзистор } типа р-п-р, включенный по схеме с общим эмиттером; последовательную разрядную цепь, состоящую из резистора 2 и конденсатора 3 и включенную между эмиттерным полюсом источника питания и базой транзистора; электролюминесцентный диод 4,

включенный в эмиттерную цепь транзистора; оптически с ним связанный фотодиод 5, включенный между коллекторным полюсом источника питания и средней точкой разрядной цепи; злектролюминесцентный диод 6, подключенный к источнику управляющего сигнала 7; фотодиод 8, оптически связанный с электролюминесцентпым диодом 6 и включенный между коллекторным полюсом источника питания

п базой транзистора. Иагрузкой транзистора является резистор 9.

Оптоэлектронный генератор прямоугольных импульсов работает следующим образом. За счет того, что через фотодиод 8 от источника

питания на базу транзистора 1 подается некоторое смещение, транзистор приоткрывается и заставляет светиться электролюминесцентный диод 4, который освещает фотодиод 5 и начинает его открывать. При этом ток базы транзистора 1 еще больше увеличивается и, если коэффициент положительной обратной связи (где р - коэффициент усиления транзистора, fS - коэффициент передачи оптрона), то транзистор / лавинообразно открьшается, и ток через него доходит до насыщения. С этого момента начинает формироваться верщина импульса. Так как транзистор перенасыщен, то несмотря на уменьшение тока базы по мере заряда конденсатора 3, транзистор все