loo
о
Oi CD Изобретение относится к устройст вам для совмецения полупроводниковой пластины с фотошаблоном и может быть использовано при производстве полупроводниковых приборов, Известны двухпольные установки совмещения и экспонирования фотошаб лона с полупроводниковой подложкой состоящие из двух проекционных объектов, распределителя светового потока, установленного в зоне пересечения лучей, проекционного экрана и источника света. Однако известные установки не об спечивают требуемой точности совмещения. С целью повышения точности совме щения в предлагаемой установке межд фотошаблоном и проекционным объекти вом установлены два , разнесенных один относительно другого эпископических устройств. На чертеже приведена.блок-схема предлагаемой оптико-механической установки совмещения и экспонирова. нйя. Предлагаемая установка работает следующим образом. С помощью микроманипулятора и присоски столика 1 совмещения осуществляется крепление полупроводниковой пластины 2 и перемещение ее относительно стеклянного фотошаблона 3 по двум координатным осям. Для повышения яркости изображени на экране используется новый эпископ 4, который крепится в специальном кронштейне 5, надетом на обойму объектива 6 с двухсоткратным увелич нием. Для совмещения по двум разнесенным участкам на фотошаблоне и по проводниковой пластине используется узел со спаренными эпископами и объ ективами. Световые потоки для освещения участков полупроводниковой подложки поступают в эпископы с осветительны блоков 7. Луч-света 8 проходит чер тепловой фильтр 9, конденсатор 10, светофильтр 11 и, отразившись от зе кала 12, попадает в спаренные конденсаторы 13 эпископа. Для увеличения светового потока используются отражатели 14. Эпископы направляют световые лучи на фотошаблон и полупроводниковую подложку. Затем световые потоки несущие информацию, поступают во входные зрачки спаренных объективов 72 6. В предлагаемой установке используются проекционные объективы с большим полем зрения, большим увеличением и со значительной глубиной резкости. Так, например, в макете используется объектив с полем зрения 2,4 мм 1,75 мм, увеличением 200, . глубиной резкости 0,02 мм и разрешением до 1 мкм. С выхода объективов световой поток, несущий информацию, проходит через регулируемый распределитель светового потока 15, преломляется зеркалами 16 и поступает на проекционный экран 17. В установке используется новый проекционный мелкозернистый экран, работающий на просвет, с большой рабочей площадью порядка 500-500 мм. Установка имеет светозащитный ко- жух 18, расположенный над проекционным экраном. Для предварительного грубого совмещения фотошаблона с полупроводниковой подложкой используется объектив 19 с двадцатикратным увеличением. На объективе крепится параболическое зеркало, проецирующее на экран изображение с участка полупроводниковой подложки площадью 2025мм, Предварительное совмещение осуществляется в светлом или темно-сером поле в зависимости от поворота параболического зеркала. Темнь1Й фон изображений на экране позволяет получать ярко выраженные контрасты рисунков фотошаблона и полупроводниковой -подложки. Экспонирование фоторезиста производится с помощью ксеноновой лампы 20. Объективы, а также блок с ксеноновой лампой конструктивно выполнены выдвижными и устанавливаются на необходимую высоту, поэтому для окончательной фокусировки любого из объективов требуется незначительная коррекция с помощью винтового перемещения стола. Объективы иксеноновая лампа расположены на общей турели 21 и могут последовательно выводиться на главную оптическую ось проектора. В установке процесс совмещения полупроводниковой пластины с фотоаблоном производится в герметичном
ДВУХПОЛЬНАЯ УСТАНОВКА СОВМЕЩЕНИЯ И ЭКСПОНИРОВАНИЯ ФОТОШАБЛОНА С ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПОДЛОЖКОЙ, состоящая из двух проекционных объективов, распределителя светового потока, установленного в зоне пересечения лучей, проекционного экрана и источника света, отличающаяся тем, что, с целью повышения точности совмещения, между фотошаблоном и проекционным объективом установлены два разнесенных друг от друга эпископических устройства .
