Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике.
Известный блокинг-гене|ратор на транзисторе, содерл ащ.ий узел ломехозащиты, собранный на втором транзисторе, шунтирующем обмотки иолол ительиой обратной связи трансформатора, три сильных помехах генерирует в ждущем режиме ложиые импульсы.
Для повышения помехоустойчивости в пред лагаемом блокииг-генераторе коллектор транзистора цепи залуска присоединен непосредственно к эмитте1ру основного транзистора блокинг-геиератора и через разделительный диод - к базе дополнительного транзистора.
На че|ртеже изображена принципиальная схема предлагаемого блокинг-генератора.
Блокинг-генератор выполнен иа транзисторе /, эмиттер которого подключен к точке соединения резистора 2 и конденсатора 3 / С-цели, включенной между полюсами источиика питания. В цепь коллектора транзистора / включена обмотка 4 трансформатора 5 с диодом 6.
Н. о. дополнительный 11ранзистор 7 шунтирует обмотку 8 трансформатцра 5. Коллектор Т1ранзистора 9 цепи запуска подключен к эмиттеру транзистора / непосредственно, а к базе транзистора 7 - через разделительный диод 10.
В ждущем режиме транзистор / запе|рт. Открытый через резистор // транзистор 7 шунтирует через развязывающий диод 12 обмотку 8 и намагничивает до насыщения сердечник трансформатора 5, что обеспечивает защиту от помех и .предотвращает ррабатывания блокинг-генератора. Сигнал управления лодается на базу транзистора 9, открывая его. При этом заземляется эмитте1р
транзистора / и через разделительный диод 10 запирается транзистор 7, что создает условия для нормальной работы блокинг-генератора. Делитель на резисторах 13 и 14 опособствует возбуждению блокинг-генератора ири
подаче сигнала управления.
Предмет изобретения
Блокинг-гене1ратор на транзисторе, эмиттер которого лодсоединен к общей точке соединения резистора и конденсатора / С-цепи, включенной между полюсами источника питания, содержащий дополнительные н. о. iipanзистор, щуитирующий обмотку положительной обратной связи трансформатора, и транзистор цепи запуска, включенный по схеме с общим эмиттером, отличающийся тем, что, с целью повышения поме.хоустойчивости, коллектор упомянутого транзистора цепи запус3ка подсоединен непосредственно к эмиттеру основного. транзистора блокинг-генератора и 4 через разделительный диод - к базе дополпытельного транзистора.
-Г2в
