АМПЛИТУДНЫЙ ДИСКРИМИНАТОР Советский патент 1971 года по МПК H03K5/02 

Изобретение относится к области импульсной техники, в частности к амплитудным дискриминаторам, и может быть использовано в автоматических контрольно-измерительных системах.

Известны амплитудные дискриминаторы, содержащие мультивибратор, в цепях обратных связей которого включены ключевые элементы, выполненные в виде диодных пар.

Недостатком известного дискриминатора является сравнительно низкая чувствительность, кроме того, его характеристика является однопороговой и не допускает внешней регулировки порогового уровня.

С целью реализации двухпороговой регулируемой характеристики, повышения чувствительности и упрошения схемы в предлагаемом дискриминаторе один из диодов первой и второй диодной пары подключен к источнику опорного напряжения, а второй - через резистор к источнику контролируемого напряжения и через конденсатор-к базе транзистора р-л-р-типа и к коллектору транзистора п-/J-д-типа, соответственно, при этом к месту соединения диодов первой и второй диодных пар подключены источники напряжения смеш.ения и через конденсаторы, соответственно, база транзистора л-р-«-типа и коллектор транзистора р-л-/ -типа.

На фиг. 1 приведена принципиальная схема предлагаемого дискриминатора; на фиг. 2 - его характеристика. Амплитудный дискриминатор выполнен на

основе мультивибратора на транзисторах / и 2 различного типа проводимости, в цепях обратных связей которого включены два ключевых элемента на диодных парах.

Первый ключевой элемепт содерл ит резистор 3, источник напряжения смешения , положительный потенциал которого подключен к клемме 4, а отрицательный-к общему проводу 5, диоды 5 и 7, коммутирующие первую цепь положительной обратной связи

мультивибратора, включающую в себя конденсатор 8, переход база-эмиттер транзистора 2 и его коллектор, конденсатор 9, переход базаэмиттер транзистора / и его коллектор, конденсатор 10.

Второй ключевой элемент содержит резистор /, источник напряжения смещения Е-2, отрицательный потенциал которого подключен к клемме 12, а положительпый - к общему проводу 5, диоды 13 и 14, коммутирующие

вторую цепь полол ительной обратной связи мультивибратора, включающую в себя конденсатор 15, переход база-эмиттер транзистора 2, коллектор последнего, конденсатор 9, переход база-эмиттер транзистора /, коллекПервый источник опорного напряжения Ui подключен 1между катодом диода 7 и общим проводом 5, второй источник опорного напряжения {/2 подключен между анодом диода 13 и общим проводом 5, к которому подключен одним потенциалом источник контролируемого напряжения f/x, а вторым через резистор 17 подключен к точке соединения диода 6 с конденсатором 10, а через резистор 18 - к точке соединения диода 14 с конденсатором 15.

Для работоспособности устройства должно выполняться условие .

При Соотношении U,Ui открыты диоды 6 и 13, а диоды 7 -я 14 закрыты, что эквивалентно включению первой цепи положительной обратной связи. В устройстве выполняются условия возникновения релаксационных колебаний и происходит генерация.

При соотношении открыты диоды 7 и 13, а диоды 6 и 14 - закрыты, что эквивалентно отключению первой и второй цепей положительных обратных связей. В устройстве не выполняются условия возникновения релаксационных колебаний.

При соотношении открыты диоды 7 14, а диоды 6 13 - закрыты, что эквивалентно включению второй цепи положительной обратной связи. В устройстве выполняются условия возникновения релаксационных колебаний и происходит генерация.

Предмет изобретения

Амплитудный дискриминатор, содержащий мультивибратор на двух транзисторах разного типа проводимости, в цепях обратных связей которого включены ключевые элементы, выполненные в виде диодных пар, состоящих из встречно включенных диодов, причем диоды первой диодной пары соединены анодами, а второй - катодами, отличающийся тем, что, с целью реализации двунороговой регулируемой характеристики, повыщения чувствительности и упрощения схемы, один из диодов первой и второй диодной пары подключен к источнику опорного напряжения, а второй - через резистор к источнику контролируемого напряжения и через конденсатор - к базе транзистора тина р-п-р и к коллектору транзистора типа п-р-п, соответственно, при этом к месту соединения диодов первой и второй диодных пар подключены источники напряжения смещения и через конденсаторы соответственно база транзистора типа р-п-р и коллектор транзистора типа п-р-п.