ВСЕСОЮЗНАЯ :л» rvntfjip^'^T^-;''?'- , ".[! !:,-:li.iShtb I'-.ns....^ .- .: ;>&][ ?йь;;ис7?:нд | Советский патент 1971 года по МПК G01K7/22 

Изобретение относится к области тепловых измерений и может найти применение для исследований теиловых режимов полупроводниковых диодов в импульсном режиме работы.

Известные способы измерения температуры р-«-перехода полупроводниковых диодов путем разогрева их импульсами прямого тока характеризуются погрешностью измерения, обусловленной конечным временем (спада послеинжекционной э.д.с.) рассасывания заряда неравновесных носителей, накопленного Б базе за время протекания тока нагрева.

По предлагаемому способу шунтируют исследуемый диод резистором, величину сопротивления которого выбирают не менее чел на порядок больше сопротивления диода, при протекании через него тока нагрева, производят температурную калибровку вышеуказанной цеиочки, нропускают через нее ток нагрева и по измеренному изменению падения напряжения на ней судят об искомой величине.

Предложенный снособ позволяет новысить точность измерения.

Калибровку нрямого падения напряжения на цепочке диод - параллельное сопротивление проводят при малом измерительном токе, подаваемом от генератора постоянного тока. Сопротивление выбирают в пределах 0,5-1

сопротивления диода при протекании через пего измерительного тока.

Например, при имиульсе тока через диод более 100 ма, сопротивление его падает до единиц ом. При подключении параллельно диоду сопротпвления 100 ом выполняется необходимое условие и практически весь разогревающий ток иротекает через испытываемый диод. После окончания разогревающего импульса тока диффузионную емкость диода (послеипжекциопную э.д.с.) разряжают через параллельное сопротнвление за время, меньшее 1 мксек, до импульсов тока 2-3 а. При этом возникает возможность изД1ерения температуры р-п-перехода рассматриваемого диода через время меньшее 1 мксек после окончания разогревающего импульса прямого тока. Без данного сопротивления послеинжекционная э.д.с. спадает в течение нескольких десятков микросекунд.

При измерении температуры р-/г-перехода выпол11яют следующие операции:

устанавливают температурную зависимость прямого падения напряжения диода с параллельно подключенным к нему сопротнвлением при малом ирямом токе;

мент протекания греющего импульса тока и в то же время мала для обеспечения быстрого спада послеинжекционной э.д.с.;

измеряют температуру р-п-перехода по величине изменения прямого падения напряжения, соответствующего малому измерительному току.

Предмет изобретения

Способ измерения температуры ;;-/г-норехода полупроводниковых диодов путем разогрева его импульсами прямого тока, оглачающийся тем, что, с целью повышения точности, шунтируют исследуемый диод резисто ром, величину сопротивления которого выбирают не менее чем на порядок больше сопротивления диода, при протекании через )егс) тока нагрева, нроизводят температурную калибровку вышеуказан}юй цепочки, пропускают через нее ток нагрева и по измеренному изменению падения напряжения на ней об искомой величине.