Изобретение относится к области оптоэлектроники и может быть использовано при создании модуляторов электромагнитного излучения.
Известен способ модуляции, основанный на поглощении электромагнитного излучения свободными носителями заряда в твердом теле, концентрацию которых модулируют. Недостатками этого способа являются малая глубина модуляции и большая величина начальных нотерь.
Целью изобретения является создание способа модуляции электромагнитного излучения с большой глубиной модуляции и узкой полосой модулируемых частот, лежан1,ей в необходимой области спектра электромагнитного излучения.
Для достижеиия цели используют полуироводпиковый материал с определенной концентрацией свободных носителей заряда, величину которой в приповерхностном слое модулируют известным способом, модулируя интенсивность отраженного от этой поверхности электромагнитного излучения, частота которого равна плазменной частоте свободных носителей заряда в материале.
Способ основан на явлении нлазмениого резонанса в полупроводниках, которое характеризуется пзмененпем отражательной способности поверхности от О до 1 для излу /
Ne
при увеличечастоты сор
(eL-l)
нии концентрации свооодных носителей в скин-слое на единицы проценгов от равновесной.
К нреимуществам способа можно отнести большую глубину модуляции, обусловленную острым плазменным резонансом, и малые начальные потери, так как интенсивность неослабленного модулятором излучения практически равна интенсивности создаваемого генератором излучения.
Пример. В полунроводппковой пленке динамическн изменяют (не изменяя ее состава и структуры) концентрацию свободных носителей заряда (папример, инжекцис носителей заряда через /о-п-нереход или световым импульспым возбуждением).
Увеличение в девять раз концентрации свободных носителей безынерционно сдвигает спектр R(&) в окрестиости плазменной частоты Юр в область в три раза более высоких частот, чем частоты в исходном состоянии. При этом отражательная способность поверхности нленкп для пзлучения частотой Ыр увеличится в несколько раз. 3 Предмет изобретения Способ модуляции электромагнитного излучения нутем изменения концентрации посителей в полунроводннке, отличающийся5 тем, что, с целью повышения глубины модуляции, новерхноеть полунроводника облу4чают электромагнитным жзлучеиием е частотой, равной частоте нлазменпого резонанса илазмы в нолупроводннке, и нутем измеиения концентрации носителей заряда в нриповерхностном слое модулируют интенсивность отраженной от новерхностн электромагнитной волны.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СПОСОБ ПОЛНОСТЬЮ ОПТИЧЕСКОЙ МОДУЛЯЦИИ СВЕТА С ПОМОЩЬЮ МИ-РЕЗОНАНСНЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ ПРЯМОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ | 2016 |
|
RU2653187C1 |
Прозрачная структура для модуляции СВЧ-сигнала | 2023 |
|
RU2802548C1 |
СПОСОБ МАГНИТООПТИЧЕСКОЙ МОДУЛЯЦИИ СВЕТА С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ПОВЕРХНОСТНЫХ ПЛАЗМОНОВ | 2013 |
|
RU2548046C2 |
СПОСОБ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ЭНЕРГИИ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ ОПТИЧЕСКОГО ИЛИ БОЛЕЕ НИЗКОЧАСТОТНОГО ДИАПАЗОНА В ЭНЕРГИЮ ВОЛНОВЫХ ВОЗБУЖДЕНИЙ НЕЛИНЕЙНОЙ СРЕДЫ | 1996 |
|
RU2101745C1 |
БОГДАНОВА АВТОЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЯТОР ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ | 1994 |
|
RU2095897C1 |
ПОЛНОСТЬЮ ОПТИЧЕСКИЙ МОДУЛЯТОР ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА ОСНОВЕ МНОГОСЛОЙНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР (ВАРИАНТЫ) | 2011 |
|
RU2477503C2 |
Модулятор электромагнитного излучения субтерагерцового и терагерцового диапазона для систем высокоскоростной беспроводной связи | 2016 |
|
RU2626220C1 |
СПОСОБ МОДУЛЯЦИИ ИНТЕНСИВНОСТИ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ С ПОМОЩЬЮ МАГНИТОПЛАЗМОННОГО КРИСТАЛЛА | 2015 |
|
RU2620026C1 |
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТОЛЩИНЫ, ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ, ЭФФЕКТИВНОЙ МАССЫ, КОЭФФИЦИЕНТОВ РАССЕЯНИЯ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА, КОНЦЕНТРАЦИИ И ЭНЕРГИИ АКТИВАЦИИ ЛЕГИРУЮЩЕЙ ПРИМЕСИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО СЛОЯ | 2016 |
|
RU2619802C1 |
СПОСОБ ПОВЕРХНОСТНОГО УПРОЧНЕНИЯ МЕТАЛЛОВ | 2004 |
|
RU2275432C1 |
Даты
1972-01-01—Публикация