ЖДУЩИЙ БЛОКИНГ-ГЕКЕРАТОР Советский патент 1972 года по МПК H03K3/30 

Изобретение относится к импульсной технике.

Известен ждущий блокинг-генератор, содержащий автоколебательный блокинг-генератор на транзисторе, дополнительпый транзистор в цепи запуска и тиристор с цепью смещения.

Положительная обратная связь в этой схеме способствует запуску генератора, если напряжение помехи превышает напряжение запирания.

Цель изобретения - исключение влияния цепи положительной обратной связи на цепь запуска блокинг-генератора, что иовыщает его помехоустойчивость. Достигается она тем, что коллекторная цепь транзистора автоколебательного блокинг-генератора подключена к источнику питания через тиристор, управляющий электрод которого соединен с коллектором доиолнительного транзистора.

На чертеже показана схема устройства.

Устройство содержит автоколебательный блокинг-генератор на транзисторе / и трансформаторе 2. Источник питания блокинг-генератора подключен через тиристор 3. Управляющий электрод соединен с устройством запуска на транзисторе 4 и через резистор 5 - с источником смещения.

тельного импульса он открывается и включает ток через управляющий переход тиристора. Тиристор открывается и подключает автоколебательный блокииг-генератор к источнику

питания. В результате этого вырабатывается импульс. По окопчании блокинг-процесса прекращается ток через транзистор 1, и тиристор 3 закрывается.

В таком состоянии схема находится до иоявления следующего импульса запуска.

Таким образом Зстраняется влияние цепи положительной обратной связи па цепь запуска, что повышает помехоустойчивость блокинггенератора.

П р е д .м е т изобретения

Ждущий блокинг-генератор, содержащий автоколебательный блокинг-генератор на

транзисторе, дополнительный транзистор в цепи запуска и тиристор с цепью смещеиия, отличающийся тем, что, с целью повышеиия помехоустойчивости, коллекторная цепь транзистора автоколебательного блокинг-генератора

подключена к источнику питания через тиристор, уиравляющий электрод которого соединен с коллектором дополнительного транзистора.

4-f