СЕЛЕКТОР ДЛИТЕЛЬНОСТИ ИМПУЛЬСОВtsfjMoUrU^HAHплт:нтйо^Г::х|Ш1есг{дяБИБЛИОТЕКА Советский патент 1972 года по МПК H03K6/00 

Изобретение относится к области радиотехники (полупроводниковой импульсной техники).

Известная схема селектора длительности импульса, содержащая входную цепь, интегрирующую КС-цепочку, пороговое устройство, выполненное на транзисторе и стабилитроне, и транзистор, необходимый для уменьшения времени восстановления селектора, имеет несколько недостатков. Основными из них являются: относительно высокое значение нижнего предела длительности селектируемых импульсов и невозможность работы при малых уровнях входного сигнала (уровнях порядка десятков милливольт).

Цель изобретения - создание простого и высокочувствительного устройства, селектирующего импульсы по длительности в широком временном диапазоне.

Поставленная цель достигается тем, что в схему селектора введен туннельный диод, шунтированный переменной емкостью, причем коллектор выходного транзистора через последовательно включенные конденсатор и диод соединен с анодом туннельного диода. Туннельный диод имеет весьма стабильный и сравнительно мало зависящий от температуры порог срабатывания, что позволяет значительно расширить динамический и временной диапазоны селектируемых импульсов.

На чертеже приведена схема селектора длительности импульсов.

Селектор содержит туннельный диод /, транзистор 2, резисторы 3, 4, 5 и 6, конденсатор 7, диод 8 и переменный конденсатор 9. Туннельный диод / своим катодом присоединен к общей шине, его анод соединен с базой транзистора 2, резистор 3 включен во входную цепь, резисторы 4 и 5 соединены с положительным полюсом источника питания +Е, резистор 6 заземляет среднюю точку цепи из конденсатора 7 и диода 8, включенной между туннельным диодом 1 и коллектором транзистора 2, эмиттер которого заземлен, а база

соединена с переменным конденсатором 9.

В исходном состоянии рабочая точка туннельного диода / находится на туннельной ветви его вольтамперной характеристики, транзистор 2 закрыт, так как потенциал его

базы (падение напряжения на туннельном диоде 1) недостаточен для прямого смещения перехода эмиттер-база. Напряжение на коллекторе транзистора 2 равно +Е. При поступлении входного сигнала происходит заряд переменного конденсатора 9, что предотвращает переключение туннельного диода. Если длительность входного импульса мала, то переменный конденсатор 9 не успевает зарядиться и транзистор 2 остается закрытым. Если же

ва, что переменный конденсатор 9 заряжается до некоторого порогового напряжения, определяемого туннельным диодом /, последний переключается в другое состояние (его рабочая точка переходит на диффузную ветвь вольтамперной характеристики). При этом потенциал базы транзистора 2 возрастает, транзистор открывается, а перепад напряжения на его коллекторе (выходной импульс схемы) через конденсатор 7 и диод 8 одновременно поступает на туннельный диод для «сброса. Переменный конденсатор 9 быстро разряжается через малое сопротивление туннельного диода, и схема подготавливается к приходу нового импульса. Так как конденсатор 9 является переменным, то изменением его емкости устройство может быть настроено на отработку входных сигналов (импульсов) различной длительности.

Схема проста в настройке, имеет небольшое количество деталей, надежна в работе. Коэффициент перекрытия импульсов, селектируемых ею со значительной точностью, может превышать 10. Схема способна срабатывать от импульсов с амплитудой в несколько милливольт.

Предмет изобретения

Селектор длительности импульсов, содержащий туннельный диод, включенный в цепь базы транзистора, отличающийся тем, что, с целью упрош.ения устройства, параллельно туннельному диоду включен переменный конденсатор, а коллектор транзистора через последовательно включенные конденсатор и диод соединен с анодом туннельного диода.