УСТРОЙСТВО СТРОБИРОВАНИЯ СЛАБЫХ СИГНАЛОВ Советский патент 1972 года по МПК H03K17/62 

Изобретение относится к области радиоэлектроники и может быть использовано в целях воопраизведения запоминающих устройств для переключения слабых сигналов.

Известны устройства стробировааия слабых сигналов, состоящие из нескольких включенных на общую нагрузку параллельных стробирующих каналов, каждый из которых содержит генератор стробируемого сигнала, трансформатор, усилительный каскад «а транзисторе, эмиттер которого через резистор подключен к источнику стробирующего сигнала, а база соединена с одним из выводов вторичной обмотки трансформатора.

Однако в каждом разряде известного устройства наличие дополнительного транзистора строба, резисторов и конденсатора усложняет схему и требует точной настройки. того, ограничено число возможных параллельно стробирующих цепей, увеличение которых приводит к смещению рабочей точки и требует новой настройки.

С целью повыщения надежности работы и снижения взаимного влИЯНия каналов в предлагаемом устройстве к общей точке соединения клеммы дополнительного источника итания и второго вывода обмотки трансформатора Подключен анод полупроводникового диода, катод которого соединен с эмиттером транзистора.

На чертеже .представлена принципиальная электрическая схема предлагаемого устройства.

Уст ройство состоит из нескольких включенных в общую нагрузку / параллельных стробирующих каналов, каждый из которых содержит генератор 2 стробируемого сигнала 3, трансформатор 4 (элемент связи) и усилительный каскад на т-ранз.исторе 5, эмиттер последнего через резистор 6 подключен к источнику 7 стробирующего сигнала, а база соединена с одним из выводов вторичной обмоткитрансформатора 4. К общей точке соединения клеммы дополнительного источника 8 литания:

постоянного напряжения и второго вывода вторичной обмотки трансформатора 4 подключен анадоэд полупроводниковый диод 9, а катодом- к эмиттеру транзистора 5. Резистор 10 имитирует внутреннее сопротивлениепамяти.

Подлежащий стробированию сигнал 3, создаваемый генератором 2, через элемент связи (трансфор.матор 4) поступает на базу кремниевого транзистора 5.

На анод диода 9 от дополнительного источника 8 питания поступает высокий потенциал. При отсутствии импульса строба и сигнала J положительной полярности высокий потенциал от дополнительного источника 8 питания

тер транзистора 5. На выходе 11 имеет место высокий -потенциал источника 12 постоянного натаряжения, так как транзистор 5 закрыт изза равнозначности потенциалов базы и эмиттера.

Пр,и наличии имяульса строба от источника 7 и отсутствии сигнала 3 начинает течь ток по цепи: дополнительный источялк 8 питания, диод 9 и резистор 6. Потенциал эмиттера транзистора 5 понижается относительно перБОначальной величины на величину, равную падению напряжения на диоде 9, в результате чего траизистор 5 открывается и остается смещенным В прямом направлении.

При «аличии импульсов строба от источника 7 и сигнала 3 диод 9 подзапирается и большая часть TCkKa протекает по цепи: высокий потенциал дополнительного источника 8 питания, вторичная обмотка трансформатора 4, переход база-эмиттер транзистора 5 и резистор 6, при этом появляется значительный коллекторный ТО.К, а -на выходе 11 появляется ютрицательный переход стробированного, усиленного и ,инв.ертир-рванного сигнала 3.

Другие параллельные стробирующие каналы не выделяют сигнала на нагрузке 1, так как в этот момент отсутствуют их стробсигналы.

Предмет изобретения

Устройство стробирования слабых сигналов, состоящее из нескольких включенных на общую нагрузку параллельных стробирующих кана-лов, каждый из которых содержит генератор стробируемого сигнала, трансформатор, усилительный каскад на транзисторе, эм,иттер которого через резистор подключен к источнику стробирующего сигнала, а база соединенна с одним из выводов вторичной обмотки трансформатора, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности работы устройства и снижения взаимно го влияния каналов, к общей точке соединения клеммы дополнительного -источника питания и второго вывода обмотки трансформатора подключен анод полупроводникового диода, катод которого соединен с эмиттером транзистора-.

TJг;