ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО НА ТОНКИХ Л\АГНИТНЫХПЛЕНКАХ Советский патент 1972 года по МПК G11C11/02 

Известны запоминающие устройства на тонких магнитных пленках.

Однако в известных устройствах необходимо пропускать через электрические проводпики ток значительной величины.

С целью уменьшения величины тока, пропускаемого через электрические проводники, в предлагаемом устройстве первый из магнитных слоев выполнен корытообразным, охватывающим один из первых проводников и обладающим достаточно малыми коэрцитивной силой и анизотропией для того, чтобы он перемагничивался магнитным полем, создаваемым вторым из магнитных слоев.

На чертеже дано предлагаемое устройство.

Устройство состоит из магнитного слоя /, анизотропного магнитного запоминающего слоя 2 и проводников 3, 4 для создания управляющего магнитного поля в направлении другой оси запоминающего слоя 2. С помощью проводников 5, 6 создается магнитный импульс щита управления HS з направлении оси магнитного запоминающего слоя 2. Магнитный слой / и запоминающий слой 2 образуют замкнутый магнитный контур так, что магнитный поток замыкается через слой 1, служащий обратным магнитопроводом. Магнитный слой / обладает незначительной коэрцитивной силой и анизотропией, в результате этого он может перемагничиваться благодаря магнитной силе поля, создаваемой запоминающим слоем 2 и частью магнитного импульса щита управления, проникающего через проводник 4. Слой / состоит из электропроводного материала, вследствие чего между проводниками 3, 4 через магнитный слой возникают контакт. Неэлектропроводный слой 7 служит в качестве изоляции между проводниками 3, 4 и проводниками 5, 6.

Считывание информации без ее разрушения осуществляется следующим образом.

Электрическим импульсом is в проводнике 5 создается магнитный импульс щита уиравлсния HS, который в плоскости запоминающего

слоя 2 в направлении оси вызывает магнитную силу поля, превосходящую анизотропную силу поля Н запоминающего слоя 2, и поворачивает вектор намагничивания М запоминающего слоя 2 от одной оси в направлении

другой оси, что приводит к изменению магнитного потока в магнитном слое / и индуцированию нанряжения между проводниками 3, 4. Так как между проводниками 3, 4 через электропроводящий магнитный слой 1 возникает

контакт, то проходящий ток i, в свою очередь, снова создает компонент магнитной напрял енности поля Я в направлении вектора намагничивания М запоминающего слоя 2, который действует как управляющее магнитное

равления Я, при этом вектор намагничивания запоминающего слоя 2 снова возБраш;ается в исходное ноложение, т. е. информация записывается снова.

В предлагаемом запоминающем устройстве импульс щита управления Н, создаваемый электрическим током is в проводниках 5, 6, может беспрепятственно достигать запоминающего слоя 2. Для получения высокой плотности поверхностей запоминающих элементов и больщой области стабильности считывания информации без ее разрушения магнитный контур из запоминающего слоя 2 и магнитиого слоя 1 необходимо плотно замкнуть, поэтому целесообразно снабдить узкие стороны проводника 4 магнитным материалом. Слой 1 может состоять из анизотропного магнитного материала и иметь большую толщину, чем запоминающий слой 2.

В качестве обратного провода для электрических импульсов is и ± id под проводником 3 помещается металлическая пластина, изолированная от проводников 3, 4. Однако можно также противофазно возбудить проводпики 3-6, в результате чего OHIJ действуют как прямой и обратный провод, причем запоминающий элемент состоит из четырех тонкослойных элементов соответственно с четырьмя точками пересечения проводников.

В предлагаемом устройстве запоминающий слой накладывается на проводник 4, однако возможна также другая схема, у которой запоминающий слой наложен на нижнюю сторону проводников 5, 6, над которыми может быть помещен второй обратный магнитопровод из ферритного материала, улучшающий замыкание магнитного потока запоминающего слоя 2 и концентрирующий импульс со щита управления Я, на запоминающем Cvioe 2.

Предмет изобретения

Запоминающее устройство на тонких магнитных пленках, содерлсащее анизотропный магнитный слой из электропроводного материала, два расположенных с обеих его сторон прямоугольных электрических проводника, выполненных создающими магнитное поле вдоль оси легкого намагничивания второго анизотропного магнитного слоя, который сопряжен с одним из проводников и соединен

0 через изолирующий слой с другими прямоугольными электрическими проводниками, выполненными создающими магнитное поле вдоль оси трудного намагничивания второго из магнитных слоев, отличающееся тем, что,

с целью уменьщения величины тока, пропускаемого через последние из проводников, первый из магнитных слоев выполнен корытообразным, охватывающим один из первых проводников и обладающим достаточно малыми коэрцитивной силой и анизотропией для того, чтобы он перема1 йичивался магнитным полем, создаваемым вторым из магнитных слоев.