Способ измерения омической искусственной линии Советский патент 1934 года по МПК G01R27/32 G01R17/10 

В пракгаке телеграфно-телефонных измерений чЪсто приходится иметь дело с искусственными оМическими линиями, ЯВЛЯЮЩИМИСЯ- простейшим средстб®м приблизительного воспроизведения действительных линий. Проверка изготовленной искусственной линии, производя щаяся путем измерения сопротивления катушек, e дает гарантии теоответйтвия изготовленной линии с заданными затуханием и волновым сопротивлением, в виду возможной ошибки в расчете, которая таким образом остается необнаруженной. Поэтому волновое сопротивление и затухание изготовленной яинии целесообразнее определять не1досредственным измерением.

Одним из известных приборов дл проверки таких -искусственных постоянным током служит компенсацж}Нное устройство разработанное, например, Сименс и ГаЛьске. При компенсационном методе измерения: применяемые здесь две батареи должны одинакового напряжения. Затухание может быть определено с достаточной точностью в 1СлучЪе, если величина затухания Ь больше 3 непер. ,Для 13мерений затуханий, иенвших Указанной величины, приходится -подключать эталоны на и 3.

В качестве неудобств указанного. метода можно отметить: необходимость

наличия двух батарей и их постоянной проверки, потребность эталонов на Ь 3 выполненных соответственно типу линии. Указанные недостатки устраняются пред гаемым согласно изобретению методом у основанным на использовании схемы йостика Уитстона. Для определения затухания искусственной линии ее элементы включаются в две ветви и в диагональ моста с той целью, чтобы по отношению сопротивлений двух других ветвей можно бьшо найти затухание. Волновое сопротивление омической искусственной линии находится путем включения /а одну из ветвей моста всей линии параллельно с регулируемым добавочным сопротивлением, дающим непосредственно величину волнового сопротивления.

На чертеже фиг. 1 и 2 изображают различные схемы искусственной линии: Н-образной симметричной и Т-образной несимметричной; фиг. 3 - представляет схему вышеупомянутого прибора Сименс и Гальске; на фиг. 4, 6, 8 (с Н-образными линиями) и 5, 7 и 9 (с Т-образными линиями) представлены принципиальные схемы для измерения этим методом затуха&1ия большой величин 1 и затухания малой величины и волнового сопротивления.

Для воздушных линий и пупинизированного кабеля, т. е. для наиболее чаСТО: встречающихся средств связи, монснр с достаточной точностью считать волновое сопротивление почти действительHbiiji. Следовательно в этом,случае ,DteHствительная линия может быть воспроизведена четырехполюсником, представленным на чертеже-фиг. 1 и 2, составленным из омических сопротивлений Расчет элементов таких искусственныхлиний ведется по следующим формулам;

R ztQfi- H U7 ° 2sin АЬ - ,

где г-золновае сопротивление действительной линии и &-ее затухание.

Таким образом при постоянном z каждому значению величины затухания А соответствуют определенные величинь / и W. На этом и основан предлагаемый метод измерения, искусственных омических линий. Как это видно на фиг. 4, 5, б и 7, элемен искусственной линии разделены по плечам моста Уитстона. г1ри отсутствии ток в гальванометре имеем для Н-образных ли

ТГ+-

«ИИ r ri (фиг. 4) и 1

R 2 ,

«

--D- (фиг. 5). Поставив вместо W vi R

+- . , : /

«X указанные выше значения W snhb и / 2tgA-y, получим зависимость затухания b от г. Эта 3|ависимость, представленная в виде таблицы или в виде кривой-для каждого типа линии и для каждого из интервалов h, может быть использована для проверки затухания изготовленной искусственной линии.

Схема фиг. 4 применяется для проверки величины затухания в пределах от 6 10 до ,5. Схема фиг. 5, отличающаяся от схемы 4 добавлением :опротйвления г, пригодна для проверки значений ;от О, 5 до 0,01. В качесгёе постоянного сопротивления rj удоб«6, например, применять сопротивления в 1 000 ож при значениях & 0,1 ив iQ ом при b 0,1.

Из теории известно, что входнЬе- сопротивление четырехполюсника равно его выходному сопротивлению, если четырехполюсник замкнут на .сопротивление, равное егр собственному волновому сопротивлению. На этом свойстве четырехпо/Гюсника и основан способ .измерения волнового сопротивления z искусственной омической линци.

Как видно из схем фиг. 8 и 9, равновесие моста достигается в том случае, когда сопротивление плеча, обозначенного 2г,.равно Z искусственной линии, и сопротивлению, на которое замкнута искусственная линия и которое также обозначено z, так как оба значения 2; по -ходу измерений должны меняться одновременнб и быть равными : друг другу.

Схема фиг. б применяется для проверки волнового сопротивления искус- / ственной.линии. В этой схеме выходные клеммы искусственной линии замыкаются на (Добавочное .омическое сопротивление Z, равное волновому сопротивлению испытуемой линии. Балансные сопротивления равны и приняты каждое, например, в 1000 ом. Сопротивления г и 2 равны и одновременно изменятются как в одну, так и в Другую сторону, и при равновесии мостика каждое из НИХ; равно искомому волновому сопротивлению линии.i

Предмет изобретения.

Способ измерения омической искусственной линии, атличающийся применением моста Уитстона для определения, затухания искусственной линии и ее волнового -сопротивления путем включен ния |5пементОв линии в две ветви и в диагональ моста, с той целью, чтобы по отношению сопротивлений двух других ветвей можно было определить затухание искусственной линии и путем включения в одну из ветвей моста всей искусственной лин1(1и вместе с регулируемым добавочным сопротивлением . можно было определить волновое сопротивление искусственной линиик авторскому свидетельству М. Н. Н. Соловьева № Г. Цимбалистого и 34651