ПИРОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРИЕМНИК ИЗЛУЧЕНИЯ Советский патент 1972 года по МПК G01J5/50 

Настоящее изобретение относится к радиометрии и может быть использовано для измерения мощности лучистой энергии импульсных источников излучения например, оптических квантовых Генераторов.

Известны пироэлектрические приемники излучения, содержащие керамический чувствительный элемент, выполненный в виде черного тела, например, полой сферы или клина, и два металлических электрода, нанесенные на внутреннюю и внешнюю поверхности чувствительного элемента.

В известных приемниках измеряемый лучистый поток, многократно отразившись внутри полости черного тела, полностью поглощается электродным слоем, вызывая его нагревание. Приращение температуры электродного слоя передается пироактивной керамике и вызывает в ней изменение.

Однако известные приемники из-за сравнительно длительного времени прохождения тепловой волны через облучаемый металлический электрод имеют относительно большую постоянную времени, измеряемую сек.

Для уменьшения постоянной времени при сохранении высокой поглощательной способности в широком спектральном иитервале в

предлагаемом приемнике чувствительный элемент из пироактнвной керамики выполиен в форме полого конического тела один из элек тродов расположен на вершине конуса, а второй - на окружности основания;

На чертеже показан описываемый приемник, где W - измеряемый поток излучения, 1- чувствительный элемент в виде конического тела, 2-электрод, расположенный на вершине конуса, 3-электрод, расположенный на окружности основания, 4- согласующий каскад на лампе с нагрузочным 5 и катодным 6 сопротивлениями.

Предмет изобретения

Пироэлектрический приемник излучения, содержащий чувствительиый элемент из пироактивной керамики с электродами, отличающийся тем, что, с целью уменьшения постоянной времени при сохранении высокой поглощательной способности в широком спектральном интервале, чувствительный элемент выполнен в виде полого конического тела, один из электродов которого расположен на вершине конуса, а второй - по окружности основания.

У/

О

vPi

t.. 9