ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МОСТОВОЙ ДАТЧИК ТЕМПЕРАТУРЫ Советский патент 1972 года по МПК G01K7/25 

Изобретение может быть использовано в системах трехпозиционного регулирования температуры различного назначения, работающих в диапазоне от -30° С до +70° С.

Известны полупроводниковые мостовые датчики температуры, в одном или двух плечах которых включены терморезисторы (термисторы). Выходной сигнал датчика, являющийся функцией окружающей температуры, снимается с одной из диагоналей моста. В качестве двух плеч мостового датчика при питании постоянным током могут быть использованы полупроводниковые стабилизаторы напряжения (стабилитроны).

Применяемые мостовые датчики температуры даже при использовании терморезистороз имеют относительно низкую чувствительность и требуют при использовании в системах регулирования температуры достаточно сложных усилительно-преобразующих устройств для усиления и формирования трехпозиционной характеристики регулятора.

Для увеличения выходных сигналов датчика, формирования в самом датчике трехпозиционной характеристики, необходимой для управления регулятором температуры, ,и упрощения его схемы в предлагаемом датчике к общей точке стабилитронов подключены эмиттеры транзисторов разного типа проводимости, базы которых соединены с термостабильнььм сопротивлением, включенным между терморезистором и вторым термостабильным сопротивлением.

При этом мощность выходных сигналов

датчика увеличивается в десятки раз, а требуемая трехпозиционная характеристика регулирования определяется параметрамп мостового датчика, что существенно упрощает схему управляющего устройства регулятора и

значительно повыщает его надежность.

Схема описываемого датчика приведена на чертеже.

Четырехплечий мост образуется терморезистором (или группой терморезисторов) 1, термостабильными сопротивлениями 2, 3 и двумя стабилитронами 4, 5. К концам резистора 2 подключены базы транзисторов 6, 7 разного типа проводимости, эмиттеры 1;оторых соединены с точкой стабилитронов 4, 5. Питанпе для датчика подается через ограничивающее сопротивление на выводы 8, 9. Выходные сигналы датчика снимаются с выводов W, 11. При температуре настройки, когда сопротивление терморезистора / равняется сопротивлению термостабильного резистора 3, оба транзистора 6 и 7 закрыты, так как для открытия кремниевого транзистора необходимо, чтобы напряжение между эмиттером н базой

температуры относительно температуры настройки сопротивление терморезистора 1 уменьшается и открывается транзистор 6. Если вывод 10 подключай к минусу источника питания, то в коллекторной цепи транзистира 6 появляется ток, KOTOpHjM может быть включено электромеханическое реле через транзисторное реле. Транзистор 7 остается при этом закрытым. При снижении температуры относительно температуры настройки потенциал общей точки резисторов 2 п 3 повышается и открывается транзистор 7. Если вывод 11 подключен к плюсу источника питания, то в коллекторной цепи транзистора 7 появляется ток, достаточный для управления транзисторным реле. Транзистор 6 остается при этом закрытым. Ширина зоны нечувствительности устройства (когда закрыты оба траизистора 6 и 7) определяется величиной сопротивления резистора 2.

I р е д м е { м 3 о б ) е т е н и я

Полупроводниковый мостовой датчик температуры, содержащий мостовую схему с включенными в ее плечи терморезистором, термостабильными сопротивлениями и стабилитронами, отличающийся тем, что, с целью увеличеиия его выходных сигналов, формирования в самом датчике трехпозиционной характеристики для управления регулятором температуры и упрощения его схемы, к общей точке стабилитронов подключены эмиттеры транзисторов разного типа проводимости, базы которых соединены с термостабильным сопротивлением, включенным между терморезистором и вторым термостабильным сопротивлением.