УСТРОЙСТВО для ИЗМЕРЕНИЯ УДЕЛЬНОГО Советский патент 1972 года по МПК G01R27/32 G01R27/04 

Изобретение может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов из слитка полупроводникового материала.

Известно устройство для измерения удельного сопротивления высокоомных полупроводниковых материалов и времени жизни свободных носителей тока, содержащее СВЧгенератор, аттенюатор, вентиль, волномер, детекторную секцию, индикаторное устройство, источник света и осциллограф.

Точность измерения такого устройства вследствие слабой зависимост1И коэффициента отражения от величинь удельного сопротивления материала невысокая.

Цель изобретения - повышение точности измерения.

Это достигается тем, что исследуемый образец пом-ещают в запредельный волновод с резонансным штырем и освещают модулированным пучком света через малое отверстие.

На фиг. 1 показана блок-схема устройства; на фиг. 2 - конструкция резонатора с исследуемым образцом.

Устройство для измерения удельного сопротивления высокоомных полупроводниковых материалов и времени жизни свободных носителей тока содержит СВЧнгенератор /, вентиль 2, аттенюатор 3, резонатор 4 с исследуемым образцом, источник 5 света, волномер 6, детекторную секцию 7, индикаторное устройство 8 и осциллограф 9.

Исследуемый образец 10 помещен в запредельный волновод Л с резонансным штырем 12, которые образуют резонатор 4, и через малое отверстие 13 освещен модулированным пучком света. Связь резонатора с детекторной секцией осуществляют через петлю 14 связи, а с СВЧ-генератором - через петлю 15 связи. Исследуемый полупроводниковый образец закрепляют и перемещают с помощью устройства 16. Для подстройки частоты резонатора используют поршень 17.

Диаметр отверстия 13 значительно меньше диаметра торца резонансного штыря 12, поэтому излучением СВЧ-мощности через это отверстие можно пренебречь. Электрическое поле резонатора 4 практически полностью

сосредоточено в зазоре между стенкой волновода // и торцом штыря 12, и, таким образом, исследуемый образец оказывается включенным в СВЧ-поле резонатора.

Измерение удельного сопротивления образца основано на измерении полосы пропускания резонатора с полупроводниковым материалом и без него с помощью волномера 6 и индикаторного устройства 8. Удельное сопротивление полупроводникового материала определяют по формуле: