СПОСОБ КОНТРОЛЯ ПОВЕРХНОСТИ МЕТАЛЛИЗИРОВАННЫХ ОСНОВАНИЙ РЕЗИСТОРОВ Советский патент 1972 года по МПК G01N21/21 H01C17/00 

Изобретение относится к электронике и может быть использовано в производстве резисторов. Известные способы контроля поверхности металлизированных оснований резисторов, основанные на иснользовании поляризованного света, имеют недостаточную точность контроля и не предоставляют возможности их автоматизации. Предлагаемый способ ие имеет этих недостатков и отличается от известных тем, что производят поляризационный анализ интенсивности луча, отраженного от контролируемой поверхности, причем фазовые сдвиги компонентов луча сводят к минимуму. Предлагаемый снособ заключается в том, что новерхность исследуемой детали с помощью спиральной развертки освещают точечным лучом, которого соизмерим с раз мерами дминимальных дефектов. Отраже Н1ый луч подается на фотоприемник. На нути падающего и отраженного лучей установлены соответственно поляризатор и анализатор поляризованого света, плоскости которых скрещены. При этом места с оголеной керамикой будут белыми иа фоне черного проводящего Световой поток, проходя через поляризатор, становится линейно поляризованным. Отражаясь от проводящего слоя, линейно поляризованный световой поток становится эллнптически поляризованным, и, нроходя через анализатор, нлоскость которого скрещена с плоскостью поляризатора, гаснет. Отражаясь же от новерхности керамического основания, поляризованный световой ноток дополяризуется вследствие того, что керамика обладает сильным диффузиым рассеянием. Диффузио рассеивающая поверхность имеет свойство дополяризовывать свет любой поляризации, поэтому световой поток, отражеиггый от поверхности керамики, ие нзменяет своей интенсивности, проходя через анализатор. Предмет изобретения Способ контроля поверхности металлизированных оснований резисторов, основанный на использовании поляризованного света, отличающийся тем, что, с целью повышения точности коптроля и возможности его автоматнзации, производят поляризационный анализ интенсивности луча, отраженного от контролируемой поверхности, причем фазовые сдвиги компонентов луча сводят к миннмуму.