ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ Советский патент 1972 года по МПК H03F1/30 

Изобретение относится к радиоэлектронике. Усилитель может быть использован в устройствах для усиления переменного и постоянного токов в тех случаях, когда симметричный относительно «земли входной сигнал целесообразно преобразовать для несимметричной нагрузки, например, при построении схемы сравнения компенсационного стабилизатора напряжения.

Известен дифференциальный усилитель на транзисторах с симметричным входом и несимметричным выходом, содержащий дополнительный транзистор противоположного типа проводимости, который является коллекторной нагрузкой транзистора одного плеча усилителя, а база дополнительного транзистора подключена к коллектору транзистора другого плеча.

Однако в известном устройстве усилительные свойства одного из транзисторов дифференциальной пары используются не полностью, а коллекторные нагрузки их существенно отличаются по температурным коэффициентам, что приводит к дрейфу выходного потенциала. Кроме того, на стабильность выходного потенциала устройства влияет нестабильность питающего напряжения.

предлагаемом усилителе между базой дополнительного транзистора и коллектором транзистора другого плеча включен эмиттерноколлекторпый переход составного транзистора той же проводимости, что и дополнительный транзистор, причем база составного транзистора подключена к месту соединения коллекторов транзисторов первого плеча усилителя.

На чертенке представлена принципиальная электрическая схема предложенного устройства.

Дифференциальный усилитель на транзисторах 1 и 2 содержит дополнительный транзистор 3 противоположного типа проводимости, являющийся коллекторной нагрузкой транзистора /.

Между базой транзистора 3 и K0v лeктopoм транзистора 2 включен эмиттерпо-коллекторный пере.ход составного транзистора на транзисторах 4 5 той же проводимости, что и транзистор 3. База составного транзистора подключена к .месту соединения коллекторов транзисторов / и 3. Симметричные входы 6

н 7 устройства подключены к базам транзисторов 1 и 2, а несимметричный выход 8 - к коллектору транзистора 2.

фициент усиления транзистора / по напряжению велик.

В исходном состоянии все транзисторы находятся в линейном режиме. Режим транзисторов 1 и 2 задается величиной смещения на оба входа, а режим остальных транзисторов- резистором 9 и сопротивлением транзисторов 1 и 2, связь между которыми осуществляется посредством резистора 10.

При балансе токи в обоих плечах усилителя одинаковые. Изменяя сопротивление резистора 9, можно регулировать в щироких пределах выходной потенциал устройства.

Если между входами 5 и 7 возникает разность потенциалов, например, на входе 6 уровень напряжения положительный, то коллекторный ток транзистора / увеличивается, а коллекторный ток транзистора 2 уменьшается. Уменьшение потенцнла коллектора транзистора 1 вызывает увеличение тока базы составного транзистора на транзисторах 4, 5 и, следовательно, его коллекторного тока, а значит и дополнительное увеличение выходного потенциала. Таким образом, транзистор 2 и составной транзистор на транзисторах 4 и 5 работают в противофазе аналогично двухтактному каскаду в режиме класса А. При идентичности параметров всех транзисторов общий коэффициент усиления устройства стремится к значению р при сопротивлении нагрузки, стремящемся к бесконечности (р - статический коэффициент усиления по току для транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером).

Предмет изобретения

Дифференциальный усилитель на транзисторах с симметричным входом и несимметричным выходом, содержащий дополнительный транзистор, проводимость которого противоположна проводимости транзисторов дифференциальной нары, являющийся нагрузкой транзистора одного плеча усилителя, отличающийся тем, что, с целью повышения коэффициента усиления и температурной стабильности усилителя, между базой дополнительного транзистора и коллектором транзистора другого плеча включен эмиттерно-коллекторный переход составного транзистора той же проводимости, что и дополнительный транзистор, причем база составного транзистора подключена к месту соединения коллекторов транзисторов первого плеча усилителя.

°1