МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ ДАТЧИК[ПЛТШИС-кtaVltoAH' Советский патент 1972 года по МПК G01R33/00 

Изобретение относится к области радиотехнических устройств с отрицательным сопротивлением.

Известны магниторезистивные датчики, у которых сопротивление прямо пропорционально напряженности магнитного паля.

Известны также устройства с отрицательным сопротивлением, обусловленным туннельным или поверхностным эффектом.

Предлагаемое устройство отличается от известных тем, что для получения отрицательной зависимости его сопротивления от управляющего магнитного поля сопротивление магниторезистора связано с напряженностью (индукцией) -магнитного поля обратной зависимостью.

Датчик (см. чертеж) содержит основной многоэлектродный магниторезистор 1, размещенный в постоянном магнитном поле смещения BO, и несколько вспомогательных магниторезисторов 2, расположенных в управляющем магнитном поле В182, создаваемом катушками 3.

Многоэлектродный магниторезистор / представляет собой полупроводни ковую пластину. К торцовым граням пластины присоединены основные электроды, а к боковым - несколько пар управляющих электродов. К каждой паре управляющих электродов подключены двухэлектродные магниторезисторы 2.

При подаче электрического сигнала в катушки 3 магнитное поле этих катущек будет воздействовать на магниторезисторы 2. Это вызовет изменение сопротивления этих резисторов, что, в свою очередь, вызовет обратное по знаку изменение сопротивления многоэлектродного резистора /. Таким образом, увеличение напрял енности управляющего магнитного поля вызывает уменьшение

сопротивления между основными электродами магниторезистора /, а уменьщение управv яющeгo поля вызывает увеличение сопротивления основного магниторезистора, т. е. устройство в целом работает как отрицательное сопротивление.

Предмет изобретения

Магниторезистивный датчик, содержащий магниторезистор, помещенный в зазоре магнита смещения, отличающийся тем, что, с целью получения отрицательной зависимости его сопротивления от управляющего магнитного поля, магниторезистор снабжен несколькими парами дополнительных электродов, к которым подключены вспомогательные магниторезисторы, помещенные в управляющее магнитное поле.