МИШЕНЬ ТЕЛЕВИЗИОННОЙ ПЕРЕДАЮЩЕЙ ТРУБКИ Советский патент 1972 года по МПК H01J1/78 H01J31/38 

Изобретение относится к области телевизионных передающих трубок типа вижикон, в частности к выполнению мишеней видиконов.

Известна мишень телевизионной иередаюш,ей трубки тина видикон, содержаш,ая прилегаюш.ие слои аморфных полупроводников: аморфоного селена и полупроводника группы

А - В -, например Sba 83, образуюш,их )

теропереход.

Однако такая мишень либо обладает лгалой рентгеновской чувствительностью (из-за малой толщины), либо теряет свои наиболее ценные свойства, такие как малый темновой ток, малая инерционность, возможность накопления (при увеличении толщины), так как повышение толщины слоев приводит к снижению эффективности гетеропере.кода (уменьшается коэффициент выпрямления, ухудшается кинетика фотоответа в за1порном направлении, уменьшается величина сквозного фототока) и, как следствие, к резкому ухудшению параметров видиконов (рост темнового тока, возрастание инерционности).

Предлаагемая мишень отличается тем, что она выполнена в виде системы из периодически многократно повторяюшихся структур из слоев аморфного селена и полупроводника

соответствует оптимальной величине коэффициента поглощения излучения.

Кроме того, на коммутируемую поверхность мишени может быть нанесен слой материала,

повышающего значение напряжения, при котором коэффициент вторичной эмиссии больше единицы, например гладкая пленка моносульфида германия, пористая пленка As2 Ses, или Sbo 83, или пленка дисперсного

титана.

Это обеспечивает повышение чувствительности видиконов в видимой и, особенно, в рентгеновской области спектра при сохранении всех остальных полезных свойств.

На чертеже нредставлен вариант предлагаемой мишени. Мишень содержит планшайбу видикона /, пропускающую рабочее излучение (в случае рентгенвидикон планшайба выполняется, например, из бериллия); пол шрозрачный для излучения проводящий слой - сигнальную пластину 2, 3, З, 3... Зп - слои аморфного селена; 4, 4i, 4--.. .4п - слои аморА,Л V о VI

фного полупроводника А - В - , например

J

5Ь25з, и слой 5 из материала, повыщающего значение напряжение, при котором коэффициент вторичной электронной эмиссии больше единицы.