СПУСКОВОЕ УСТРОЙСТВО С МАЛОЙ ПЕТЛЕЙ ГИСТЕРЕЗИСА Советский патент 1972 года по МПК H03K17/60 

Изобретепие относится к импульсной технике.

Известно спусковое устройство с малой петлей гистерезиса, содержащее выходной транзистор, база которого соединена через резистор с источником питания и коллектором входного транзистора.

Однако у известного устройства малая стабильность по уровию порога срабатывания и сложность.

Целью изобретения - повышение стабильности устройства.

Предлагаемое устройство отличается тем, что эмиттер выходного транзистора через резистор соединен с эмиттером донолнительного входного транзнстора нротивоположной проводимости, коллектор которого соединен с эмиттером входного транзистора и с источником входного тока.

Па чертеже изображено предлагаемое сиусковое устройство.

Источник входного тока / соединен с коллектором траизистора 2 «п-р-и проводимости и с эмиттером транзистора 3 «Р-п-р проводимости. Эмиттер транзистора 2 через резистор 4 соединен с транзистором 5, база которого соединена с коллектором траизистора , а коллектор - с источником питания 6. При величине входного тока, мeньнJeй тока эмиттера транзистора 2, весь входной ток протекает через коллектор этого транзистора, поскольку напряжение на его коллекторе отрицательное и приблизительно равное нанряжению на эмиттере. По достижении входным сигналом велнчииы тока /a-czi, где ai - коэффициент усиления транзистора, включенного по схеме с общей базой транзистор 2 переходит в лииейную область работы, при этом наиряжеиие на коллекторе повышается. Через эмиттер транзистора 3 иачннает нротекать ток, что вызывает нротекание тока через резистор 7 и величегп1е на нем падения наиряжения. Это приводит к уме ЬИ1ению напряжения на эмиттере транзистора 5 а, следовательно, к уменьшению тока эмиттера, и тока коллектора транзистора 2 и увеличению тока эмиттера транзистора , и т. д., т. е. развивается регенеративный процесс, при котором выходное напряжение скачком станет равным нулю.

Величина входных токов, при которых происходит срабатывание п возврат спускового устройства, зависит от параметров транзисторов р и /ко, изменяющихся с росто.м темнературы. Паиболее сильное влияние на параметры спускового устройства оказывают тепловые токи коллекторных переходов. Пе менее сильное влияние на характеристики спускового устройства оказывает iKnieneiiiie коэффициенВ транзисторах данного спускового устройства сквозные токи действуют в противоноложные стороны, осуществляя тем самым комнслюацию друг друга.

Предмет н з о б р е т е н и я

Снусковое устройство с малой петлей гистерезнса, содержащее выходной транзистор, база которого соединена через резистор с

источником питания и коллектором входного транзистора, отличающееся тем, что, с целью новыщения стабильности, эмиттер выходного транзистора через резистор соединен с эмиттером дополнительного входного транзистора противоположной проводимости, коллектор которого соединен с эмиттером входного транзистора и с источником входиого тока.