ВСЕСОЮЗНАЯ Советский патент 1973 года по МПК H03K3/282 

1

Изобретение относится к области радиотехники и может быть использовано для генерирования релаксационных автоколебаний в области низких и инфранизких частот.

Известные мультивибраторы с дополнительными транзисторами в цепях коллекторно-базовых связей сложны.

Цель изобретения - устранить указанный недостаток.

Указанная цель достигается тем, что времязадающ.ий конденсатор включен между -базами дополнительных транзисторов.

На чертеже приведена принципиальиая схема мультивибратора по данному изобретению.

Работа мультивибратора протекает следующим образом.

В некоторый момент времени основной транзистор / и дополнительный транзистор 2 открываются, а аналогичные транзисторы 5 и другого плеча мультивибратора закрываются. В этОМ случае напряжение на коллекторе транзистора / будет близко к , и диоды 5 и 6 открываются. Коллекторный ток транзистора 2, который определяется величиной эмиттерного сопротивления резистора 7, протекает от источника « через эмиттерный переход транзистора 1, сопротивление которого существенно меньше коллекторного сопротивления резистора 8. Сопротивление резистора 7 выбирается такой величины, чтобы транзистор / находился в насыщенном состоянии в течение всего времени проводимости транзистора 2. В открытом состоянии транзистора 2 Р-Я часть его эмиттерного тока ответвляется на заряд конденсатора 9. Основной путь заряда конденсатора 9 проходит от положнтельного полюса источника через транзистор Л диод 5, эмиттерный переход транзистора 2, резистор 7 к отрицательному полюсу источника. Постоянная времени заряда конденсатора 9 определяется произведением коэффициента усиления по току транзистора 2 на сопротивление резистора 7 и емкость конденсатора 9. Заряд конденсатора длится до тех пор, пока

напряжение на эмиттере транзистора 2 не опустится ниже нулевого уровня. После этого открывается диод 10 и резко ограничивается величина эдиттерного тока транзистора 2, так как величина сопротивления коллекторной нагрузки // в десятки раз меньше величины сопротивления резистора 7. С уменьшением тока транзистора 2 транзистор / выходит из насыщения и начинает запираться. Напряжение на нагрузке 12 падает, что приводит к запиранию диодов 5 и б и открыванию транзисторов 5 и 4. Напряжение на коллекторе транзистора 3 повышается, открываются диоды 10 и 13, что ведет к полному запиранию транзисторов / и 2. Таким образом, в результате этого

лавинообразного процесса транзисторы 1 и 2,

диоды 5 и 5 занижаются, а транзисторы 3 к 4, диоды 10 и 13 открываются. Затем начинается второй полуцикл работы мультивибратора, при котором конденсатор 9 перезаряжается по пути от положительного полюса источника, через открытый транзистор 3, диод 13, эмиттерный лереход транзистора 4, резистор 14 к отрицательному полюсу источника. Перезаряд происходит до тех пор, пока не откроется диод 6, что вызывает резкое уменьшение тока транзистора 4, выход из насыщения и запирание транзистора 3. Далее лавинообразный процесс приводит к полному запиранию транзисторов 3 и 4, диодов 10 и 13 и открыванию транзисторов 1 и 2, диодов 5 и 6. Время полного цикла работы мультивибратора при симметрии элементов схемы примерно равно удвоенному произведению коэффициента усиления дополнительного транзистора на емкость конденсатора и на сопротивление эмиттерного резистора дополнительного транзистора. При

работе схемы на нагрузках 11 и 12 выделяют ся прямоугольные импульсы, а на резисторах 7 и 14 - напряжение пилообразной формы, близкое к линейНО-падающему. Для изменения частоты автоколебаний мультивибратора можно менять емкость конденсатора 9, а также в определенных пределах значение сопротивлений резисторов 7 и 14. Для плавного изменения частоты автоколебаний в широких пределах можно включить лотенциометр между полюсами источника, к движку которого подключить аноды диодов 6 и ilO, соответственно отключив их от анодов диодов 5 и 13.

Предмет изобретения

Мультивибратор с дополнительными транзисторами в цепях коллекторно-базовых связей, отличающийся тем, что, с целью упрош,ения, времязадающий конденсатор включен между базами дополнительных транзисторов.

15

-04-fK

, П

ri

f4

-0 ,Ео

-0 -Ео