Л1УЛЬТИ ВИБРАТОР Советский патент 1973 года по МПК H03K3/282 

1

Предлагаемое изобретение относится к области импульсной техники.

Известны мультивибраторы на транзисторах с коллекторно-базовыми емкостными связями, содержащие дополнительные транзисторы того же типа проводимости, базы которых подсоединены к коллекторам основных транзисторов.

Однако в таких мультивибраторах для увеличения стабильности их выходных параметров при изменении температуры окружающей среды необходимо увеличивать глубину активной отрицательной обратной связи, при этом амплитуда сигнала и выходная мощность мультивибратора уменьшаются.

С целью повышения выходной мощности и стабильности частоты и амплитуды генерируемых импульсов в предлагаемом мультивибраторе между эмиттерами дополнительных транзисторов подсоединена первичная обмотка выходного трансформатора, средняя точка которой через цепочку из последовательно соединенных стабилитрона в обратном включении и резистора подключена к общей щине питания, при этом базы основных транзисторов мультивибратора подсоединены к общей точке соединения стабилитрона и резистора.

На чертеже приведена схема предлагаемого м ул ьти вибратора.

Транзисторы (основные) 1 и 2, резисторы

3-6 и конденсаторы 7 и 8 образуют схему симметричного мультивибратора. Базы дополнительных транзисторов 9 и 10 подключены к коллекторам основных транзисторов / и 2. Стабилитрон // « резистор 12 обеспечивают постоянное смещение в эмиттерных цепях дополнительных транзисторов 9 и /О и определяет величину напряжения на коллекторах транзисторов / и 2. Падение напряжения на резисторах 5 и 6 определяет величину базовых смещений транзисторов 9 и 10. Базы основных транзисторов подключены соответственно посредством резисторов 13 и 14 к общей точке соединения стабилитрона // и резистора 12.

Транзисторы 1 II 2 работают следующим образом.

В произвольный момент времени закрыт транзистор / и открыт транзистор 2. Конденсатор 8 разряжается через открытый транзистор 2 и резистор 4, в результате чего напряжение на базе транзистора / по отнощению к эмиттеру достигает напряжения открывания, транзистор / открывается, появляются прямые базовый, эмиттерные и коллекторные токи, напряжение на эмиттере несколько уменьшается, а на коллекторе повышается. Скачок напряжения с коллектора транзистора 1 передается через конденсатор 7 на базу транзистора 2 и закрывает его. Напряжение на эмиттере транзистора 2 несколько повышается, а