БИБЛИОТЕКА Советский патент 1973 года по МПК G03G13/22 

1

Изобретение относится к электрофотографии, а именно к проявлению изображений непосредственно в электрофотослое без последующего его закрепления.

Известен электрофотографипеский способ получения изображения, заключаюш,ийся в очувствлении электрофотографического конденсатора путем подачи постоянного напряжения на его электроды, один из которых нрозрачный, а другой - металлический, с одновременным экспонированием электрофотослоя и проявлении электрофотографического конденсатора.

Известные электрофотографическне способы получения изображения сложны и многостадийны.

С пелью устранения этих недостатков предлагаемый способ позволяет проявлять электрофотографическпй конденсатор путем локального пробоя электрофотослоя с выгоранием металлического электрода, с прямым почернением его без закрепления в местах засветки и с сохранением чувствительности его незасвеченных участков в местах, не подвергшихся действию света.

Основным элементом, обеспечивающим осуществление предлагаемого способа, является электрофотографический конденсатор (ЭФК), который может быть выполнен однослойным и двухслойным.

На фиг. 1 изобрал ен однослойный ЭФК, разрез; на фиг. 2 - двухслойный ЭФК, разрез; на фиг. 3 - принципиальная схема устройства для осуществленпя предлагаемого способа. Однослойный ЭФК состоит из стекла /, прозрачного электрода 2, нанесенного па стекло, электрофотографического слоя 3, тонкого металлического электрода 4 и диэлектрической пленки 5. Иа электроды подается постоянное напряжение от источника тока 6 через ограничивающее сопротивление 7. Одновременно можно производить экспонирование ЭФК, например, через негатив 8 источником 9 света, причем в результате фотоэлектрического или фотохимического процесса в зернах полупроводника резко падает его электрическая прочность и наступает пробой электрофотослоя 3 на засвеченных участках при ,. Самовосстановление электрической прочности электрофотослоя осуществляется 1утем выгорания тонкого металлического электрода 4. В результате выделения относительно больijjoro количества энергии в местах нробоя электрофотослой изменяет окраску (обычно

чернеет). Следовательно, проявляя этот слой за счет электрической энергии разряда, его закреплять не нужно. Одновременно через разделительный конденсатор 10 в регистрирующее устройство 11 поступает сигнал (импульс)

большой амплитуды.

При применении двухслойного ЭФК засветка электрофотослоя 3 способствует повышению напряжения U на диэлектрической прокладке 12 до значения , в результате чего происходит пробой засвеченного участка.

При осуществлении предлагаемого способа в качестве источника 9 света используется квантовый генератор «Раздан-2, прозрачный электрод 2 из SnOa толщиной 1-2 мкм на стекле 1, металлический электрод 4 из алюминия толщиной 0,01-0,05 мкм, напыленный на диэлектрическую пленку 5. Напряжение на ЭФК подается величиной 2-4 ке; ограничивающее сопротивление 7 подбирается порядка 1 Мом, а емкость конденсатора 10-100 пф.

Предлагаемый способ может быть использован, например, для скоростной записи сигналов с лучевых (световых) осциллографов и других целей фиксирования информации с помощью источников света, а также, учитывая сильное ионизирующее действие ядерных частиц на электрофотослой ЭФК и практически

2 3

., .yooi° oVfoVoVi, O Q-:f.

сквозное пробивание его ими, для регистрации этих частиц или ионизирующих излучений.

Предмет изобретения

5 Электрофотографический способ получения изображения, заключающийся в очувствлении электрофотографического конденсатора путем подачи постоянного напряжения на его электроды, один из которых прозрачный, а другой - металлический, с одновременным экспонированием электрофотослоя и проявлении электрофотографического конденсатора, отличающийся тем, что, с целью упрощения и ускорения процесса электрофотографирования,

5 проявление электрофотографического конденсатора производят путем локального пробоя электрофотослоя с выгоранием металлического электрода, с прямым почернением электрофотослоя без закрепления в местах засветки и

0 с сохранением чувствительности его незасвеченных участков в местах, не подвергшихся действию света.

.

t iortP ОО и ei fiftO о О,, о g«a.Bp. f cO%00:

/2

11

CSem