ВСЕСОЮЗНАЯ Советский патент 1973 года по МПК H03C1/34 

Изобретение относится к фотоэлектрони.ке, а именно к фоторезистивным приемвикам детектирюва.ния оветовых сигналов с источником смещения -высо,кой частоты, и может быть использовано в .качестве чувствительного фотовриемнигка в линиях оптической овяз-и, в системах оптической локации, в асгронавигацлонных 1при|борах, а та, в исследовательской иЗ:Мбрительной аппаратуре.

Известны приемники слабых световых сигналов, соде1р1жащие сбалансированный резистивно-емкостный мост с фоторезистивным элементам, к одной из диагоналей .которого подключен один из выходов источии.ка высокачастотного напряжения смещения, и последовательно соединенные малошумящий усилитель высокой частоты, балансный детектор, вторым входам своим подключенный ко второму входу упамянутого источника смещения, и видеоусилитель.

Целью изобретения является повышение чувствительности приемника на низ-ких частотад.

Это достигается тем, что в приемнике фоторезистивный элемент включен в о.дно из плеч сбалансированного моста непосредственн-о между обкладка.ми конденсатора бесконтактным способам, а выход малошумящего усилителя подключен ко второй диагонали моста.

На чертеже изображена схема цредлагаемога приемннка.

Фотопр|Иемник содержит генератор / напряжения высокой частоты, который литает сбалансированный мост через тра}гсформатор 2. Два плеча моста содержат кс1ндег1саторы

5и 4, равные ло величине между собой. В третье плечо включен .конденсатор 5, между об,кладками кото|рого помещен фоторезистивный элемент 6, представляющий собой тонкую пластинку полупроводникового материала с ВЫСО.КИМ удельным сопротивлением р. Для изоляции фотарезнстивного элемента

6ПО .постоянно,му току между фоторезистором -и обкладками проложены тонкие .диэлектрические плен.ки с малыми высокочастотными потеря ми. Одна из обкдадок конденсатора 5 прозрач1на для светового луча, что дост 1гается использованием в ка честве обкладки

мел кост:ру1ктурной металличеоюой сетки или полупрозрачной металлической пленки, нанесенной на диэлектриче.скую пленку. Частота гене(ратора / высокой частоты выбирается из

условия /о ,

где S - диэлектрическая проницаемость полупроводникового материала фоторезистора. Выполнение указанного условия необходимо для полного пронИ|Кнавения высо,кочастотного электрического поля в фоторезистор

бесконтактным .путем. В четвертое плечо моста включены .конденсатор 7 и сопротивление 8, величины которых равны эквивалентной емкости и сопротивлению конденсатора 5 с фоторезисто|рам.

К выходу моста через тра.исформаггор, о5разован.ный индуктивно1стэми 9 и 10, подключен малошумящий усилитель 11 вЫСокой частоты, настроенный на частоту /о- Индуктивность вместе с .конденсаторами 3, 4, 5, 7 образуют колебательный контур, «аотроенный на частоту /о. Вел.ичины емкостей 5 и 4 для увеличения коэффициента включения фоторезистора iB KOHTyip .выбираются значительно большими, чем емкасть 5 и 7. К выходу усилителя П подключен детектор /2, собранный по балансной схеме. На детекто-р 12 поступает также (Напряжение .высокой частоты непосредственно от генератора /. На выходе детектора включен аидеоусилитель 13.

В отсутствие светового сигнала мост балансируется подбо1ро.м .кондансатО|ро.в 3, 4, 7 и сопроти1вления 8 та«, чтобы на входе усилителя // высокой частоты отсутствовало напряжение генератора высокой частоты. Это обеспечивает подавление ам;плитудных и фазовых фл 1ктуаций генератора /. Воз)дейст1вие светового сигнала приводит К .иаменеиню потерь конденсатора 5 с фоторезисто ром, в результате чего на выходе моста появляется напряжение частоты, /0. амплитуда которого пропорциональна интенсивности светового си-гнала. На1П,ряжение, усилениое усилителе.м 11 высокой частоты, детекти,руется балансным детектором 12. Про.детектированный си-гнал Далее усиливается видeoylcилитev eм- 13.

Пороговая чувствительность тако-го фотоприемника определяется генарационио-ракомбина.ционными шумами и не зависит от частоты, .поскольку устранены как низкочастотные Шу1мы, О бусл1овленщые флуктуащиям.и генератора 1 высокочастотного смещения, так и контактные шу.1Ы.

Предмет изобретения

Приемник слабых световых .сигналов, содержащий сбалансированный резистивно-емкостный мост с фоторезисти.вны,м элементом, к одной из диагоналей которого подключен один Hi3 ВЫХОДОВ источника высо,кочастотно.го

.напряжения смещения, и последо1вательно сое|Ди.ненные малош умящий усилитель высокой частоты, балансный детектор, .вторым входом свовм подключеннь й IKO второму выходу уломянутого источника смещения, и видеоусилитель, огличающийс.я тем, что, с целью повышения чувствительности приемника на Низких частотах, в нем уломянутый фотореаистивный элемент включен в одно из плеч сбалансированного моста напооредственно между обкладками конденсатора бесконтактным способом, а 1ВХОД малош у1мящего усилителя подключен ко второй диагонали .моста.