УСТРОЙСТВО ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ ЯРКОСТЬЮ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНОГО ЭЛЕМЕНТА С ДВУХГРАДАЦИОННОЙ ПАМЯТЬЮ Советский патент 1973 года по МПК G02F1/01 

.1

Устройство иредназначеио для управления яркостью электролюминесцентного индикатора.

Известно устройство для управления яркостью электролюминесцевтного элемента с двухградаЦИОЕНой памятью на основе элек тролюминесцентного конденсатора и фоторезистора. Такое устройство имеет малое быстродействие и значительно большую амплитуду управляющего сигнала.

В целях устранения указанных недостатков в предлагаемом устройстве в цень возбуждения электролюминесцентного элемента включен транзистор, коллектор которого соединен с электролюминесцентным элементом, эмиттер - с источником синусоидального напряжения, а база - с фоторезистором.

На фиг. I изображена принципиальная схема устройства; на фиг. 2 показана зависимость напряжения возбуждения электролюминофора от времени; на фиг. 3 - эквивалентная схема цепи заряда емкости электролюм И1несцентного элемента.

Устройство содержит электролюминесцентнъгй элемент /, транзистор 2, фоторезистор 3 II резистор 4.

В произвольный момент времени о (см. рис. 2) на схему подается напряжение U возбуждения электролюминофора синусоидальной формы.

С момента /i (начало первой отрицательной полуволны напряжения U ) начинается заряд емкости, электролюминесцентного элемента по цепи, состоящей из емкости 5 электролюминесцентного элемента, р-я перехода 6 база-коллектор транзистора и резистора 7 (см. фиг. 3). Так как постоянная времени этой цепи мала по сравнению с четвертью периода напряжения /( мсек),

сопротивление р-п перехода база-коллектор, включенного в прямом направлении, много меньше ком, то в момент 4 напряжение на емкости р;авно f/макс, напряжение на коллекторе транзистора равно нулю.

Начиная с момента 4, напряжение на коллекторе транзистора повышается и к моменту 3 достигает значения 2 t/макс, так как транзистор заперт и емкость CEL практически не разряжается через большое обратное сопротивление р - п перехода база-коллектор ( мом). Вследствие того, что напряжение на электролюминофоре постоянно и равно б .макс, излучение света: при запертом транзисторе отсутствует.

Начиная с момента 4 или позже, на схему подается постоянное н:апрял ение ЕО- Так как темновое сопротивление фоторезистора много больше RO, то напряжение на базе транзистора близко к нулевому и транзистор зяперт. Схема находится в выключенном состоянии или состоялии «О.

При подаче запускающего положительного импульса Hia базу транзистора транзистор открывается и разность потенциалов коллектор-амиттер стремится к нулю. Все приложенное напряжение возбуждения подается на электролюминофор, который начинает излучать свет. Световое излучение электролюминофора, падая на фоторезистор, уменьшает его сопротивление, что вызывает повышение потенциала базы за счет источника постоянного напряжения EQ. Это приводит к дальнейшему отпиранию транзистора и увеличению Интенсивности свечения электролюминофора..

В конце переходного процесса транзистор полностью насыщается, схема переходит в состояние «1, iB котором находится и по окончании запускающего импульса.

Чтобы, перевести схему в состояние «О, необходимо подать на базу транзистора отрицательный импульс или временно отключить источник ЕО. Длительность записывающего импульса или время 1выключения Твык определяется процессами рекомбинации носителей в фоторезисторе и составляет примерно 5 мсек для фоторезисторов, например, на основе CdS.

Предмет изобрете-ния

Устройство для управления яркостью электролюминесцентного элемента с двухградационной памятью, содержащее фоторезистор, подключенный к источнику ПОСТОЯННОГО напряжения и оптически свяЗанный с электролюминесцентным элементом, источник синусоидального напряжения, отличающееся тем, что, с целью повышения быстродействия и уменьшения ам-плитуды управляющего сигнала, iB цепь возбуждения электролюминесцентного элемента включен транзистор, коллектор которого соединен с электролюминесцентнЫМ элементом, эмиттер-с источником синусоидального напряжения, а база-с фоторезистором.