ВСЕСОЮЗНАЯ Советский патент 1973 года по МПК H03K12/00 

1

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в преобразователях информации.

Известный формирователь наиосекундных импульсов, содержащий два основных транзистора одного типа проводимости, между эмиттерами которых включен времязадающий конденсатор, нелинейную нагрузку, включенную в коллекторную цепь первого транзнстора, конденсатор полол ительной обратной связи, включенный между коллектором первого основного транзистора и базой второго, и резисторы, обладает большим временем восстановления, потребляет большую мошность в статическом режиме и имеет большую длительность формируемых импульсов.

Цель изобретения - уменьшение длительности форглируемых импзльсов, уменьшение времени восстановления и снижение потребляемой мош,пости в статическом режиме. Для этого в эмиттерные цени обоих транзисторов введены дополнительные транзисторы другого типа проводимости, базы и эмиттеры которых соединены соответственно с базами и эмиттерами основных транзисторов, коллектор первого донолнительного транзистора нодключен к шине питания, коллектор второго - к резистивной нагрузке, а базы через резисторы - к обшей шине.

На чертеже изображена принципиальпая

электрическая схема предлагаемого формирователя.

Формирователь содержит транзисторы / и 2, между эмиттерами которых включен времязадающий конденсатор 3. В коллекторную цень транзистора / включена нелинейная нагрузка 4. Коллектор транзистора / и база транзистора 2 соединены через конденсатор 5 положительной обратной связи.

В эмиттерные цепи транзисторов / и 2 включены транзисторы 6 к 7, базы и эмиттеры которых соединены с базами и эмиттерами транзисторов / и 2 соответственно. Нагрузкой формирователя является резистор 8, включенный в коллекторную цепь транзистора 7. Базы транзисторов ( и 7 через резисторы 9 и 10 соединены с общей щиной, коллектор транзистора 6 - с шиной питания. Вход 11 формирователя через конденсатор 12 подключен к

базе транзистора 6.

Формирователь работает следующим образом.

В исходном состоянии транзисторы 1, 2, 6, 7 закрыты, конденсатор 3 разряжен. При поступлении сигнала на вход // с амплитудой, превышающей порог срабатывания формирователя, открываются транзисторы У и 7. Изменения напряжения на коллекторе транзистора / передаются через конденсатор 5 на базу транзистора 7, вызывая лавинообразный процесс

нарастания тока транзисторов и 7, а следовательно, и тока через конденсатор 3. При этом на резисторе 8 формируется фронт импульса. Одновременно начинается заряд конденсатора 3, в результате чего ток через транзисторы У и 7 начинает уменьшаться. Изменения напряжения на коллекторе транзистора / при замкнутой петле положительной обратной связи приводит к лавинообразному процессу спада тока заряда конденсатора 5 и запиранию транзисторов У и 7. При этом формируется спад импульса. С выхода 13 формирователя снимаются короткие импульсы, длительность фронта и спада которых определяется частотными свойствами транзисторов /, 2, 6, 7.

Спад входного сигнала на величину порога срабатывания вызывает отпирание транзисторов 2 -я 6, W. конденсатор 3 быстро разряжается. Для расширения динамического диапазона в сторону уменьшения крутизны фронтов входных сигналов в коллекторную цепь транзистора включена нелинейная нагрузка.

Предмет изобретения

Формирователь наносекундных импульсов, содержаш,ий два основных транзистора одного типа проводимости, между эмиттерами которых включен времязадаюш;ий конденсатор, нелинейную нагрузку, включенную в коллекторную цепь первого транзистора, конденсатор положительной обратной связи, включенный

коллектором первого основного транзистора и базой второго, и резисторы, отличающийся тем, что, с целью уменьшения длительности формируемых импульсов и времени восстановления, а также снижения потребляемой мошности в статическом режиме, в эмиттерные цепи обоих транзисторов введены дополнительные транзисторы другого типа проводимости, базы и эмиттеры которых соединены соответственно с базами и эмиттерами основных транзисторов, коллектор первого дополнительного транзистора подключен к шине питания, коллектор второго - к резистивной нагрузке, а базы через резисторы - к обшей шине.

/2

//

-Sh

fl