1
Изобретение относится к области радиотехники.
Известны усилители мощности с трансформаторным током и rt-ным количеством источников питания, выполненный по двухтактной схеме на тра нз-исторах в каждом плече.
Однако известные усилители обладают недостаточно большой выходной .мощностью.
С целью увеличения выходной мощности база каждого последующего транзистора предлагаемого усилителя через .последовательно соединенные дополнительную вторичную обмотку входного трансформатора и диод подключена .к эмиттеру предыдущего транзистора.
На чертеже представлена схема предлагаемого усилителя мощности.
Усилитель представляет собой двухтактный каскад, в каждом плече которого содержатся п последовательно включенных траизисторов. Каладая двухтактная пара транзисторов TI-TI, TZ-TZ,... Т„ -Г,/ подключена к своему последовательно включенному источнику питания через диоды ,...
Д« -Дя.
Нагрузка усилителя включена в эмиттеры транзисторов Ti-Т/.
Для возбуждения используется входной трансформатор Тр, имеющий одну первичную обмотку, и 2п-вторичных, намотанных 2д-филярно. Причем обмотки возбуждения к транзисторам Т и TI подсоединяются через резисторы RQ и RO непосредственно к базе и эмиттеру соответственно транзисторов TI и
Т/.
Цепи возбуждения последующих транзисторов выполнены иначе: у остальных вторичных обмоток один конец подсоединен к базе соответствующих транзисторов, а другой -
через диоды Д„ и Д,/, которые обеспечивают защиту базовых цепей от обратных перенапряжений, к эмиттеру предыдущего транзистора, считая от нагрузки.
В исходном состоянии все транзисторы закрыты, при этом напряжение на участке эмиттер-коллектор каждого тра«зистора не
, Е, ...„
превышает величину -, где
EI, Е2...Е,, - напряжение соответствующих источников питания, п - число источников.
В случае, если имеет место разброс сопротивлений запертых транзисторов, наличие диодов устраняет возможность пере«апряжеНИИ на участке коллектор-эмиттер.
С появлением и ростом входного сигнала на обмотках Wi, W... W,, наводится одинаковое по амплитуде напряжение сигнала. Однако возрастание входного сигнала приводит
к появлению базового тока лишь транзистора
TI по цепи: база транзистора Ti - резистор / 6- переход эмиттер-база транзистора Т/.
Токи баз остальных транзисторов отсутствуют, так как их цепи включают в себя сопротивление участка коллектор-эмиттер преыдущего транзистора (считая от нагрузки).
Работа одного плеча усилителя происходит следующим образом (другое илечо работает аналогично).
С увеличением входного силнала открывается только транзистор Tj, который работает активном режиме. Через плечо нагрузки ротекает ток от источника EI по цепи: диод Д - коллектор-эмиттер транзистора TI - нагрузка.
При подходе транзистора TI к режиму насыщения сопротивление участка коллекторэмиттер снижается, чем обеспечивается протекание базового тока транзистора Тд.
Как только динамическое солротивление частка коллектор-эмиттер транзистора Т. станет равным сопротивлению Re , то базовые оки транзисторов Т и Т2 становятся одинаковыми, следовательно, их коллекторные токи также равны. Коллекторный то« транзистора Т2 в момент достижения транзистором Ti режима насыщения скачкообразно достигает значения коллекторного тока транзистора Т.
Дальнейщее увеличение входного сигнала приводит к синхронному возрастанию коллекторных токов транзисторов Т и Тд, причем транзистор Та работает в активном режиме, и транзистор T - в режиме насыщения. Ток через одно плечо нагрузки протекает уже от двух последовательно соединенных источников EI + 2 но цепи: диод До - коллекторэмиттер транзисторов Т2 п TI - плечо нагрузки.
Поскольку напряжение на нагрузке, возрастая, -становится больше EI, то диод Д1 отключается.
При подходе транзистора Т2 к режиму насыщения сопротивление участка коллекторэмиттер транзистора TZ уменьшается, что обеспечивает возможность протекания базового тока транзистора Тз. После достижения транзистором Т2 режима, близкого к насыщению, ток транзистора Тз скачкообразно достигает величины тока транзистора Т2, процесс протекает аналогично.
С уменьшением входного сигнала нроцессы протекают в обратной последовательности. Величины напряжения каждого из элементов источника питания выбираются исходя из условия обеспечения равномерной мощности рассеяния на каждом из транзисторов.
Пред м ет изобретения
Усилитель мощности с трансформаторным входом и л-ым количеством источников питания, выполненный на транзисторах одной
проводимости по двухтактной схеме, содержащий в каждом плече /г-ое количество транзисторов, соединенных последовательно ио постоянному току, причем база первого транзистора каждого плеча соединена с эмиттером
этого транзистора через последовательно соединенные резистор и вторичную обмотку входного трансформатора, отличаю1цийся тем, что, с целью увеличения выходной мощности, база каждого последующего транзистора через последовательно соединенные доиолнИтельную вторичную обмотку входного трансфор.матора и диод подключена к эмлттеру предыдущего транзистора.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Преобразователь напряжения | 1981 |
|
SU997209A1 |
Инвертор | 1981 |
|
SU1001394A2 |
КЛЮЧЕВОЙ УСИЛИТЕЛЬ МОЩНОСТИ | 1991 |
|
RU2014725C1 |
Стабилизатор-ограничитель амплитудногозНАчЕНия пЕРЕМЕННОгО НАпРяжЕНия | 1978 |
|
SU802943A1 |
ДВУХТАКТНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ МОЩНОСТИ | 1996 |
|
RU2115223C1 |
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИМПУЛЬСНО-ФАЗОВОГО УПРАВЛЕНИЯ т-ФАЗНЫМ ВЕНТИЛЬНЫМ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕМ | 1969 |
|
SU436429A1 |
Транзисторный инвертор | 1982 |
|
SU1050072A1 |
УСТРОЙСТВО УПРАВЛЕНИЯ ТОКОМ В ИНДУКТИВНОЙ НАГРУЗКЕ | 1973 |
|
SU374733A1 |
Усилитель мощности | 1986 |
|
SU1420643A1 |
Транзисторный инвертор | 1990 |
|
SU1757069A1 |
Тр
Авторы
Даты
1973-01-01—Публикация