Симметричный тиристор Советский патент 1985 года по МПК H01L29/74

Описание патента на изобретение SU397122A1

VI /У / ГШ р /

/ //// /Л/У/ У/

- V . -( -. ,

е 14 к 13

±li

/t ч

2А//Л7 Л/77777у7777

/А///

/3 J5 2ff

Похожие патенты SU397122A1

название	год	авторы	номер документа
СИММЕТРИЧНЫЙ ТИРИСТОР	1996	Дерменжи П.Г. Думаневич А.Н.	RU2106720C1
СИЛОВОЙ ТИРИСТОР, ПРОВОДЯЩИЙ В ОБРАТНОМ НАПРАВЛЕНИИ	1994	Дерменжи П.Г. Думаневич А.Н. Шмелев В.В.	RU2082259C1
РЕВЕРСИВНО-УПРАВЛЯЕМЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР	1986	Грехов И.В. Горбатюк А.В. Костина Л.С.	RU2006992C1
СИЛОВОЙ ЗАПИРАЕМЫЙ ТИРИСТОР	1988	Дерменжи П.Г. Шмелев В.В.	SU1616450A1
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР	1992	Грехов И.В. Костина Л.С. Белякова Е.И.	RU2045111C1
СИЛОВОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР	2006	Дерменжи Пантелей Георгиевич Локтаев Юрий Михайлович Лапшина Ирина Николаевна Семенов Александр Юрьевич Ставцев Александр Валерьевич Черников Анатолий Александрович	RU2321102C1
Тиристор	1971	Евсеев Ю.А. Думаневич А.Н. Локтаев Ю.М. Дерменжи П.Г. Конюхов А.В.	SU363410A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫСОКОВОЛЬТНОГО СИЛОВОГО ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА	2010	Дерменжи Пантелей Георгиевич Локтаев Юрий Михайлович Нисневич Яков Давидович Сурма Алексей Маратович Черников Анатолий Александрович	RU2449415C1
ФОТОСИМИСТОР	1992	Дерменжи Евгений Пантелеевич[Ru] Евсеев Юрий Алексеевич[Ru] Рачинский Любомир Ярославович[Ua] Селенинов Казимир Леович[Ee] Тетерьвова Наталья Алексеевна[Ua]	RU2050032C1
Способ управления статическим преобразователем	1977	Страшнов Анатолий Алексеевич Уткин Евгений Васильевич Линийчук Иван Аксентьевич Шулекин Александр Федорович	SU696587A1

Реферат патента 1985 года Симметричный тиристор

СИММЕТРИЧНЫЙ ТИРИСТОР на основе многослойной структуры, например h-p->&i-p- п типа с зашунтированиыми эмиттерными переходами и управляющим электродом, перекрывающим области разноименного типа проводимости, отличающийся тем, что,с целью уменьшения времени вьпслюче-ния и снижения токоя управления, полупроводниковая структура содержит участки в базовых слоях, время жизни неосновных носителей в которых по крайней мере в 1,5 раза больше,чем в остальной части структуры, расположенные так, что проекции границ этих участков на поверхность структуры с управляющем электродом охватывают границы эмиттерных переходов на расстоянии не менее толщины узкой базы и изолировап!1ые от основного токосъема со стороны структуры, свободной от управляющего электрода.

SU 397 122 A1

Авторы

Евсеев Ю.А.

Думаневич А.Н.

Даты

1985-02-07—Публикация

1972-07-20—Подача