ТБ Советский патент 1973 года по МПК H03K7/02 

1

Изобретение относится к импульсной технике, может быть использовано пр,и создании быстродействующих счетных, кодирующих и декодирующих устройств.

Известен формирователь импульсов, содержащий входной транзистор, к коллектору которого подключены две С-цепи и выходной транзистор со включенным в его эмиттерную цепь диодом с на коплением заряда, причем база выходного транзистора через одну из С-цепей подключена к коллектору входнаго транзистора.

Цель изобретения - повышение быстродействия устройства. Предлагаемый формирователь импульсов отличается тем, что в него введен дополнительный транзистор со включен, ной в его эМИттер катушкой индуктивности; при этом база дополнительного транзистора через другую jRC-цепь подключена к коллектору входного транзистора, а общая точка эмиттера и катушки индуктивиости соединена через резистор с общей тючкой эмиттера выходного транзистора и катода диода с накоплением заряда.

На фиг. 1 приведена принципиальная электрическая схем-а предлагаемого фор.мнрователя импульсов; на фиг. 2 и 3 - диаграммы напряжений в различных точках схемы.

К коллектору входного транзистора / подключены две Т С-цепочки. Первая / С-цепочка

состоит из конденсаторов 2, 8 и резистора 4, вторая - из конденсаторов 5, 6 и резистора 7. В цепь эмиттера выходного транзистора 8 включен диод 9 с накоплением заряда. База транзистора 8 через первую У С-цепочку подключена к коллектору транзистора /. В цепь э.миттера дополнительного транзистора 10 включена катушка индуктивности 11. База транзистора 10 через вторую С-цеиочку под.ключена к коллектору транзистора /. Точка соединения эмиттера транзистора 10 и катушки // соединена через резистор 12 с общей точкой эмиттера транзистора 8 л катода диода

9с накоплением заряда.

Cxe.ia содержит также диод 13 и регистры 14-18.

В исходном состоянии транзисторы 1, 8 и

10закрыты. Через диод 9 с накоплением заряда протекает ток от источника отрицательного постоянного смещения (от клеммы 19), проходящий через катушку /) и резистор 12.

С приходом импульса отрицательной полярности или отрицательной полуволны синусоидального сигнала транзистор 1 резко открывается и в нем происходят предварительное усиление и формирование сигнала. Положительный перепад, возникающий на коллекторе транзистора 1, через обе / С-цепочки поступает на базу транзистора 10, который является токовым переключателем, и на базу транзистора 8. Транзисторы открываются, и «а выходе 20 лоявляегся имлульс (фиг. 2, в). При открывании транзистора 10 диод 9 шунтируется его малым сопротивлением. Эффективность такого шунтирования (переключения) тем. больше чем больше соотношение солротивле«ия резистора 12 в цени диода 9 и сопротивления насыщенного транзистора Ю. Таким образом выключается прямой ток, протекающий через диод 9. Катушка И, препятствуя резкому нарастанию тока, протекающего через транзистор Ю, защищает его от перегрузок. При открывании транзистора 8 через диод 9 начинает протекать обратный ток, обеспечивающий рассасывание .заряда в базе и резкое восстановление обратного сопротивления диода.о . Время- включения кл транзистора , определяющее фронт сигнала на выходе 20, соизмеряло с длительностью фазы /i высокой обратной проводимости диода 9 на высоких частота. и может быть равным А при изменении сопротивления резистора 12. Минимально возможная длительность сигнала на выходе 20 (Шмин вкл + 2, где /2 - время резкого восстановления диоДа5-. Благодаря возможности регулирования фа зы Л Путем изменения прямого тока, проте кающего через диод 9, предлагаемый форми рователь не требует подбора элементов при сборке, а также -может формировать импульсы в широком диапазоне частот входного сигнала Шунтирование транзистора 1 по перход эмиттер - база обратно включенным диодом 13 обеспечивает закорачивание положитель ОЙ .полуволны синусоидального сигнала, что редохраняет этот переход от пробоя. Насыщенный режим работы транзистора 1, еобходимый для лучшего предварительного ормирования импульсов из синусоидального игнала, приводит к тому, что на достаточно ысоких частотах скважность импульсов на го коллекторе может стать меньше двух (фиг. 26).. Для улучшения работоспособности формиователя на высоких частотах транзистор / ипа р-п-р следует заменить транзистором тиа п-р-п. Диаграмма напряжений для этого случая приведена на фиг. 3. Кривая а на фиг. 2 н 3 .показывает напряжение на входе 21 формирователя, кривая б- напряжение на коллекторе транзистора /, кризая g - напряжение на выходе 20. Предмет изобретения Формирователь импульсов, содержащий входной транзистор, к коллектору которого .подключены две .С-цепи, и выходной транзистор со включенным в его эмиттерную цепь диодом с накоплением заряда, причем база выходного транзистора через одну из RC-цепей подключена к .коллектору входного транзистора, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия, в него введшей дополнительный транзистор со включенной в его эмиттер катушкой индуктивности, при этом база дополнительного транзистора через другую КС-цепь подключена к коллектору входного транзистора, а общая точка эмиттера и катушки индуктивности соединена через резистор с общей точкой эмиттера выходного транзистора и катода диода с накоплением заряда.

t