СПОСОБ СОВМЕЩЕНИЯ РИСУНКА ФОТОШАБЛОНА С РИСУНКОМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПЛАСТИНЫ Советский патент 1973 года по МПК H01L21/27 

1

Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов.

Известны способы совмещения рисунков ф)0тошаблона :и полуп.роводниковой .пластины, при которых полупроводниковая пластина выставляется параллельно фотошаблону в результате прижима ее к фотошаблону и последуюш.ей фиксации в этом положении. Затем пластина опускается на требуемое расстояние, причем сохраняется ее иараллельность фотошаблону.

В этом положении рисунок полупроводниковой пластины совмещают с рисунком фотошаблона, после чего пластину для контактной засветки фоторезиста на ее поверхности снова прижимают к фотошаблону.

Недостатком известных способов является износ фотошаблона, представляющего собой фотопластинку, темные ,и светлые участки э.мульсии которой обеспечивают требуемый рисунок. Наибольшие повреждения дорогостоящего фотощаблона происходят при прижяме к нему лолупроводниковой пластинь; для обеспечения плоскопараллельности. В результате возникающих дри этом боковых смещений между пластиной и фотошаблоном стирается эмульсия на фотошаблоне.

С целью уменьшения износа фотошаблона, согласно предложенному способу, полуироводниковую пластину прижимают к базовому

выступу эталона, закрепляют ее в этом ноложеняи, после чего заменяют эталон фотошаблоном, при этом между плоскостью фотошаблона и полупроводниковой пластиной

образуется зазор, равный высоте базового выступа эталона.

На фиг. 1 представлено устройство для совмещения и экспонирования, общий вид; на ф.иг. 2 - устройство для совмещения, реализующее предложенный способ; на фиг. 3, 4 показано пололчение элементов устройства для совмещения в люменты установки полупроводниковой пластины по эталону и установки в рабочем положении фотошаблона.

Параллельность между полупроводниковой пластиной / и фотошаблоном 2 обеспечивается юстировкой пласт)1ны относительно эталона 3. После поджима иласт1П1ы к эталону ее закрепляют в этом пололсении, смещают

эталон, а на его место устанавливают фотошаблон. При этом фотошаблон устанавливается параллельно над полупроводниковой пластиной на расстоянии а за счет наличия на эталоне базового выступа 4.

Данный способ может быть реализован в обычной установке для совмещения и экспонирования (фиг. 1), содержащей микроскоп 5 и устройство для экснонирования 6, которые попеременно устанавливаются над устройством 7 для закрепления фотошаблона 2. В кор