МУЛЬТИВИБРАТОР Советский патент 1973 года по МПК H03K3/28 

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано для генерирования импульсов с большой скважностью.

Известен мультивибратор на двух транзисторах разного типа проводимости, содержащий времязадающую цепь в виде последовательно соединенных конденсатора и резистора, включенных между коллектором п-р-п и базой р-п-р транзисторов.

Такой мультивибратор обладает пизкой скважностью генерируемых импульсов и не имеет регулировки их частоты.

Для увеличения скважности генерируемых импульсов в предлагаемом устройстве п-р-п транзистор включен по схеме с общей базой, эмиттеры транзисторов соединены прямой гальванической связью, а коллектор п-р-п транзистора подключен к источнику тока. Кроме того, к коллектору п-р-п транзистора через диод подключен источник регулирующего напряжения, что обеспечивает возможность управления частотой генерируемых импульсов.

На чертеже приведена принципиальная электрическая схема предлагаемого мультивибратора.

Он выполнен на транзисторах 1 и 2 р-п-р и п-р-п типов нроводимости и имеет источник 3 управляющего напряжения, источник 4 входного тока, соединенный с базой транзистора 2 через последовательно соединенные конденсатор 5 и резистор 6, полупроводниковые диоды 7 и 8, резистор 9, служащий нагрузкой транзистора 2, и источник 10 питающего напряжения.

Источник 3 управляющего напряжения через полупроводниковый диод 8, а источник 3 входного тока непосредственно подключены к коллектору транзистора 1, включенного по

схеме с общей базой. Эмиттер транзистора 2 соединен с эмиттером транзистора 1, коллектор транзистора 2 через нагрузочный резистор 9 подключен к источнику 10 питающего напряжения.

Предлагаемый мультивибратор работает следующим образом. Конденсатор 5 от источника 4 входного тока заряжается через резистор 6 и полупроводниковый диод 7. Отрицательное смещение, приложенное к базе

транзистора 2 и равное по величине падению напряжения на диоде 7, надежно запирает транзистор 2. При достижении напряжения па конденсаторе 5 величины, приблизительно равной величине напряжения управления от

источника 3 управляющего напряжения, открывается полупроводниковый диод 8 и через него начинает протекать ток от источника 4 входного тока. Ток заряда через конденсатор 5 прекращается и через базово-эмиттерный

переход транзистора 1 пачинает протекать неуправляемый ток от источника 10 питающего напряжения. Этот ток вызывает протекание тока через коллектор транзистора 1 и разряд конденсатора 5, ток разряда которого, протекая через базу транзистора 2, усиливается и вызывает еще больщий ток через коллектор транзистора 1, т. е. происходит лавинообразный процесс, при котором транзисторы 1 н 2 насыщаются, и на резисторе 9 образуется падение напряжения, равное по величине напряжению источника 10 питания.

После полного разряда конденсатора 5 транзисторы 1 и 2 регенеративно закрываются и конденсатор 5 вновь начинает заряжаться. Процесс повторяется.

Конденсатор 5 может заряжаться в течение длительного времени, величина которого зависит от тока источника 4 и емкости конденсатора 5. Разряжается конденсатор 5 за короткий промежуток времени. Это зависит от величины сопротивления резистора 6. Следовательно, скважность импульсов, генерируемых мультивибратором, может быть доведена до нескольких тысяч.

Предмет изобретения

1.Мультивибратор на двух транзисторах разного типа проводимости, содержащий времязадающую цепь в виде последовательно соединенных конденсатора и резистора, включенных между коллектором п-р-п и базой р-п-р транзисторов, отличающийся тем, что, с целью увеличения скважности генерируемых импульсов, п-р-п транзистор включен по схеме с общей базой, эмиттеры транзисторов

соединены прямой гальванической связью, а коллектор п-р-л транзистора подключен к источнику тока.

2.Мультивибратор по н. 1, отличающийся тем, что, с целью управления частотой генерируемых импульсов, к коллектору п-р-п транзистора через диод подключен источник регулирующего напряжения.