ГЕНЕРАТОР ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ ЗАВИСИМОСТЕЙ Советский патент 1973 года по МПК G06G7/26 

1

Изобретение относится к вычислительной технике.

Известны генераторы функциональных зависимостей, содержащие источники питания, импульсный генератор и поверхностно-ориентированную структуру, пластина-основание которой выполнена из полупроводника п-типа и снабжена параллельными диаметрально расположенными на поверхности структуры первым и вторым омическими электродами, между которыми расположены эмиттерный электрод и фигурный коллекторный электрод.

Однако известные генераторы имеют недостаточный частотный диапазон.

Целью изобретения является расширение частотного диапазона работы генератора.

Для этого в нем эмиттерный и фигурный коллекторный электроды выполнены из полупроводникового материала р-типа в виде тонкнх пленок, нанесенных на поверхность пластины-основания, эмиттерный электрод выполнен прямоугольным, а фигурный коллекторный электрод выполнен по длине одинаковой ширины и соединен через последовательно включенные нагрузочный резистор, первый и второй источники питания с первым омическим электродом, между которым, и эмиттерным электродом включен импульсный генератор, причем второй омический электрод соединен с отрицательным полюсом второго источника питания.

Изобретение пояснено чертежом. На чертеже приведена схема генератора. Генератор функциональных зависимостей содержит пластину-основание 1 поверхностноориентированной структуры, первый 2 и второй 3 омические электроды, между которыми соответственно расположены эмиттерный электрод 4 и фигурный коллекторный электрод 5, соединенный через последовательно включенные нагрузочный резистор 6, первый 7 и второй 8 источники питания с первым омическим электродом 2, между которым и эмиттерным

электродом 4 включен импульсный генератор 9.

Работа генератора основана на том, что форма профиля / фигурного коллекторного электрода при одинаковой его ширине связана с заданной функциональной зависимостью

/ х

тока i(t)i{--длиной эмиттерного электрода L и расстоянием х между фигурным коллекторным и эмиттерным электродами следующим соотношением:

XX

1 f f X Vl t

l(x} ( - e dx, Qo- J v J

- Xt,

где Qo - первый инжектированный заряд.