ЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО Советский патент 1973 года по МПК H03K19/08 

Известны электрические устройства, например для реализации логических функций, выполнеиные в моноблоке полупроводниковой структуры.

Цель изобретения - повышение скорости передачи транзитных сигналов и улучшение развязки между входными и вы.ходными цеПЯМИ.

Это достигается тем, что в предлагаемом устройстве коллекторы параллельно соединенных в.ходиых транзисторов подключены к коллектору и одной части эмиттеров многоэмиттерного транзистора, вторая часть эмиттеров которого подключена к выходным цепям непосредственно и через диоды к коллекторам входных траизистороз, а эмиттерныс области многоэмиттериого транзистора окружены рамкой из высоколегированного материала с акцепторной примесью, соединенной с его коллектором.

На фиг. 1 изображена принципиальная схема элемента; на фиг. 2 - его конструктивное выполнение.

К 3a icnwaiM 1, 2 и 3 подключены входные цени; 1, 2 и 3 соединены с базами входных транзисторов 4, 5 и 6.

Эмиттеры транзисторов 4, 5 6 подключены к зажиму 7 источника питания. Коллекторы параллельно соединенных транзисторов 4, 5И 6 соединены с общим зажимом 8, « которо.му подключены коллектор 9 многоэмиттерпого транзистора 10 и часть его эмиттеров 11. Вторая часть эмиттеров 12 транзистора 10 иепосредственно соединена с зажимами 13, 14 и 15 выходных цепей и через диоды 16 с общим зажимом 8.

База 17 транзистора 10 через резистор 18 подключеНа ко второму зажиму 19 ;1 сточника питания.

Для подключения коллекторов дополнительных входных транзисторов (па чертеже не показаны) в схеме предусмотрен зажцм 20, соединенный с зажимом 8. В качестве эмиттеров используется полупроводни1совая область 21 Л полупроводникового моноблока 22, окруженная рамкой 23 из высоколегированного материала с акцепторной примесью и соединенная с коллектором 9.

Область 24 с нроводимостью типа Р используется в качестве базы 17 транзистора 10. Роль коллекторов 9 выполняют области 25 (Л+).

Одновременно области 25 служат э.миттерами 12, а область 24 - базой вспомогательнь х транзисторов 26.

Входные тра11зисторы 4, 5 и 6 образованы областями 27 (N, Л-).

Сигнал, поступая на один из зажимов У, 2 я 3, управляет соответствующим входным транзистором 4, 5 и 6.