ФУНКЦИОНАЛЬНЫЙ ФОТОПОТЕНЦИОМЕТР Советский патент 1974 года по МПК H01L31/08 G06G9/00 

1

Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике.

Известны функциональные фотопотенциометры, содержащие щелевую диафрагму, установленную между источником света и фотослоем, две противолежащие стороны которого снабжены основными токосъемными коллекторами.

Предлагаемое устройство отличается от известных тем, что оно содержит дополнительный токосъемный коллектор, расположенный в соответствии с заданным функциональным законом непосредственно на фотослое между основными токосъемными коллекторами.

Это позволяет расширить область применения фотопотенциометра.

На чертеже приведена схема предлагаемого устройства.

Устройство содержит щелевую диафргму 1, источник света 2 фотослой 3, основные 4, 5 и дополнительные 6 токосъемные коллекторы.

Устройство работает следующим образом.

Засвеченные световым зондом, образованным источником света 2 при помощи щелевой диафрагмы 1, участки фотослоя 3 между токосъемными коллекторами 4, 6, и 6, 5 образуют проводящие участки - резистивные элементы. Сопротивление их при постоянных ширине и яркости светового зонда зависит от длины

проводящего участка, т. е. от расстояния между коллекторами 4, 6 и 6, 5. Поскольку эти расстояния выполнены переменными, при движении светового зонда сопротивления проводящих участков изменяются. Изменения яркости и ширины светового зонда могут влиять лишь на полное сопротивление фотопотенциометра, мало влияя на его коэффициент передачи.

Изменение взаимного расположения токосъемных коллекторов дает возможность получить функциональное нреобразование любого вида, в том числе разрывные функции.

Предмет изобретения

Функциональный фотопотенциометр, содержащий щелевую диафрагму, установленную между источником света и фотослоем, две противолежащие стороны которого снабжены основными токосъемными коллекторами, отличаю щ и и с я тем, что, с целью расширения области применения фотонотенциометра, он содержит донолннтельпый токосъемный коллектор, расположенный в соответствии с заданным функциональным законом непосредственно на фотослое между основными токосъемными коллекторами.

г«Г