1
Изобретение относится к технике измерений электрических параметров полупроводниковых приборов и может быть использовано при исследовании, разработке и контроле параметров в процессе серийного изготовления полупроводниковых приборов.
Известные способы измерения пробивных напряжений полупроводниковых приборов предусматривают подачу на р-я-переход постоянного или импульсного нарастающего напряжения. Напряжение, подаваемое на р-ппереход, увеличивают до тех пор, пока в цепи р-«-перехода не установится величина тока, заданная нормой на данный тин прибора. При заданном токе измеряют напряжение на /J- г-переходе измерительным прибором.
Однако установленная норма тока для определения пробивного напряжения не характеризует границу между предпробойной областью напряжения и областью пробивного напряжения. В зависимости от вольтамперной характеристики прибора и от наличия различных дефектов в приборе измеренное напряжение может находиться как в предпробойной области, так и в области пробоя. Измерения в области пробивного напряжения могут привести к мгновенному выходу контролируемого прибора из строя или к появлению в нем скрытых дефектов, снижающих надежность полупроводникового прибора.
Цель изобретения - повышение точности измерений.
Цель достигается тем, что по предлагаемому способу на импульсы низкочастотного напряжения, подаваемые на контролируемый р-п-переход, накладывают высокочастотный сигнал и в момент прохождения через нуль высокочастотной фазовой характеристики р-«-перехода измеряют текущее значение амплитуды на р-/г-переходе, равное напряжению пробоя.
Блок-схема устройства, реализующего предлагаемый способ, представлена на чертеже.
Пробивное напряжение измеряют следующим образом.
Генератор / нарастающего низкочастотного напряжения вырабатывает импульсы, на которые накладываются импульсы высокочастотного напряжепия от генератора 2, частоту которого выбирают из условия монотонного уменьшения фазовой характеристики. Сформированное смесителем 3 напряжение подают па контролируемый р-/г-нереход 4.
Приложенное напряжение создает в цепи р-я-перехода ток. С токосъемного резистора 5 снимают падение напряженпя, отфильтровывают высокочастотную составляющую фильтром бис помощью фазочувствительного
устройства 7 выделяют напряжение характеристики изменения фазы между током и напряжением высокой частоты в цепи / -«-перехода.
Напряжение снимается с р-/г-перехода в момент времени, когда характеристика изменения фазы, уменьшаясь, достигает нулевого значения. В этот момент нарастающее напряжение на р-«-переходе достигает величины пробивного напряжения.
Пробивное напряжение р-/г-перехода измеряют с помощью измерительного прибора 8, подключенного параллельно цепи р--п-переход - токосъемный резистор. Порог чувствительности рег)лируется пороговым устройством 9.
Предмет изобретения
Способ измерения пробивного напряжения р-«-переходов полупроводниковых приборов
с лавинным механизмом пробоя путем подачи низкочастотных импульсов нарастающего напряжения на измеряемых р-«-переход, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерений, на подаваемые импульсы
низкочастотного напряжения накладывают высокочастотный сигнал и в момент прохождения через нуль высокочастотной фазовой характеристики р-«-перехода измеряют текущее значение амплитуды на р-«-переходе,
равное напряжению пробоя.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Устройство для измерения пробивного напряжения лавинного фотодиода | 1982 |
|
SU1033992A1 |
Устройство для измерения и регистрации напряжения лавинного пробоя р-п переходов | 1980 |
|
SU951199A1 |
Способ контроля качества и надежностипОлупРОВОдНиКОВыХ СТРуКТуР C P-п пЕ-РЕХОдАМи | 1978 |
|
SU805213A1 |
Способ определения предельной величины блокирующего напряжения силовых транзисторов | 2018 |
|
RU2694169C1 |
Устройство для измерения напряжения р-п переходов в импульсном режиме | 1975 |
|
SU554512A1 |
СПОСОБ КОНТРОЛЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ТОНКИХ ПОДЗАТВОРНЫХ ПЛЕНОК ДИОКСИДА КРЕМНИЯ | 2002 |
|
RU2248067C2 |
Устройство для измерения пробивного напряжения полупроводниковых материалов | 1980 |
|
SU972422A1 |
Способ отбраковки шумовых лавинно-пролетных диодов | 1982 |
|
SU1100586A1 |
Способ контроля вторичного пробоя силовых транзисторов | 1984 |
|
SU1246030A1 |
СПОСОБ ПОВЫШЕНИЯ КАЧЕСТВА ПОВЕРХНОСТИ КАТОДА | 2005 |
|
RU2294033C1 |
Даты
1974-03-30—Публикация
1972-04-20—Подача