ТРАНЗИСТОРНЫЙ АМПЛИТУДНЫЙ МОДУЛЯТОР ИМПУЛЬСНЫХ СИГНАЛОВ Советский патент 1974 года по МПК H03K7/02 

1

Изобретение относится к области имиульсной техники и может быть использовано в устройствах автоматики, вычислительной и измерительной техники в качестве амплитудного модулятора импульсных сигналов сигналами произвольной формы.

Известен транзисторный амплитудный модулятор импульсных сигналов, содержащий модулирующий транзистор и транзисторный ключевой каскад с резонансным контуром и резистором в цепи коллектора.

Цель изобретения - упрощение модулятора и обеспечение возможности модулирования без искажений импульсных сигналов большой амплитуды, а также улучшение выходных характеристик модулятора.

Это достигается тем, что резистор в коллекторной цепи транзистора ключевого каскада подсоединен к эмиттеру модулирующего транзистора, накопительный конденсатор ключевого каскада включен между коллектором транзистора этого каскада и средней точкой двух согласно включенных диодов, причем анод одного из них соединен с движком переменного резистора, включенного между общей шиной и эмиттером модулирующего транзистора, а катод другого диода через резонансный контур - с общей шиной.

На чертеже показана принципиальная схема предлагаемого модулятора.

Транзисторный амплитудный модулятор импульсных сигналов содержит модулирующий транзистор 1 и транзисторный ключевой каскад 2, включающий в себя транзистор 3, резисторы 4, 5, переменный резистор 6, диоды 7, 8, 9, конденсаторы 10, 11 и параллельны; резоиаисньи LC-контур, образованный первичной, обмоткой трансформатора 12, индуктивностью 13, включенной последовательно с ней, и конденсатором 14. К клемме 15 подключается выход датчика модулирующего напряжения, к клемме 16 - выход датчика импульсных сигналов несущей частоты. Резистор 5 в цепи коллектора транзистора 3 ключевого каскада 2 подсоединен к эмиттеру модулирующего транзистора 1. Накопительный конденсатор 10 ключевого каскада 2 включен между коллектором транзистора этого каскада и средней точкой двух согласно включенных диодов 8 и 9. Анод диода 9 соединен с движком иеременного резистора 6, включенного между общей шиной и

эмиттером модулирующего транзистора 1. Катод диода 8 соединен с выводом параллельного резонансного LC-контура, другой вывод последнего - с общей шиной. Резистор 4 и диод 7 служат для выполнения ключевого

режима транзистора 3, конденсатор 11 является фильтром несущей.

Ключевой каскад 2 - это эмиттерная нагрузка транзистора 1, поэтому при подаче модулирующего сигнала на клемму 15 напряжение на эмиттере модулирующего транзистора воспроизводит форму модулирующего сигнала. При подаче на клемму 16 импульсной несущей в устройстве происходят следующие процессы. В течение паузы клемма 16 через выходной транзистор датчика оказывается подключенной к нулевой шипе, и отрицательное напряжение смещения, подаваемое на эмиттер транзистора 3, запирает через открытый выходной транзистор датчика и диод 7 транзистор 3. Накопительный конденсатор 10 быстро заряжается через резистор 5 до уровня напряжения, имеющегося на эмиттере транзистора 1.

В течение длительности импульса несущей выходной транзистор датчика закрыт и напряжение на его выходе, т. е. на клемме 16, равно напряжению источника коллекторного питания, вследствие чего диод 7 закрывается и ток, нроходивший ранее через резистор 4 и диод 7, начинает протекать через базу транзистора 3, открывая его почти до насыщения. Напряжение на коллекторе этого транзистора резко падает, и накопительный конденсатор 10 разряжается на параллельный резонансный LC-контур.

После окончания очередного импульса несущей вновь открывается диод 7 и закрывается транзистор 3, а накопительный конденсатор начинает заряжаться через резистор 5 и диод 9 до уровня напрян ения на эмиттере модулирующего транзистора. Поскольку последнее изменяется соответственно изменению модулирующего напряжения, то напряжение на конденсаторе 10 к концу заряда оказывается равным разности напрял ений на эмиттере транзистора 1 и на движке переменного

резистора 6. Таким образом, накопительный конденсатор 10 передаст в выходной резонансный контур заряд, пропорциональный разности указанных напряжений, и в выходном контуре возникают резонансные колебания, амплитуда которых также пропорциональна этой разности напряжений. Изменяя положение движка перемеииого резистора, можно менять амплитуду модулированных колебаний в параллельном резонансном LC-контуре.

Устройство позволяет модулировать одним и тем же сигналом несколько несущих, для чего к эмиттеру модулирующего транзистора иужно подключить несколько параллельных ключевых каскадов (по количеству модулируемых несущих).

Предмет изобретения

1.Транзисторный амплитудный модулятор импульсных сигналов, содержащий модулирующий транзистор и транзисторный ключевой каскад с резонансным контуром и резистором в цепи коллектора, отличающийся тем, что, с целью упрощения модулятора и возможности модулировать без искажений импульсные сигналы большой амплитуды, резистор в цепи коллектора транзистора ключевого каскада нодключен к эмиттеру модулирующего транзистора.

2.Модулятор по п. 1, отличающийся тем, что, с целью улучшения выходных характеристик, накопительный конденсатор ключевого каскада включен между коллектором транзистора этого каскада и средней точкой двух согласно включенных диодов, причем анод одного из них соединен с движком переменного резистора, включенного между общей шиной и эмиттером модулирующего транзистора, а катод другого диода через упомянутый резонансный контур соединен с общей шиной.

П

л

I