Полосковый фазовращатель Советский патент 1975 года по МПК H01P1/18 

1

Изобретение относится к радиоэлектронике, в частности к радиотехнике СВЧ.

Известные диодные фазовращатели с вносимыми неоднородностями, содержащие экранирующие пластины и центральный меандровый проводник, критичны к качеству регулирующих элементов, технологии изготовления и изменения температуры. Кроме того, они имеют ограниченный диапазон изменения фазы.

С целью расщирения пределов регулировки фазы в предлагаемом фазовращателе дополнительно установлена между Г1одложкамн металлическая пластина, отделенная от центрального проводника слоем материала, диэлектрическая ироницаемость которого больше диэлектрической проницаемости подложек в 2-3 раза, а между металлической и экранирующими пластинами включен полупроводниковый диод.

На чертеже показан предлагаемый фазовращатель.

Он состоит из подложки 1, выполненной из керамики с диэ.тектрической проницаемостью (е) 6-8, на которую нанесен Меандровьп проводник 2, слоя 3 материала с Е 20, дополнительной металлической пластины 4, подложки 5 и экранирующих пластин 6. Подложка 5 выполнена из того же материала, что и подложка 1. Проводник 2 нанесен на подложку 1 методом позитивной фотолитографии, а пластины 4 и 6 «анесены на керамику вжигапием серебра в подложку. Проводник 2 имеет выво,:1ы на торец подложки 1 в виде металлизированных выемок, пластина 4 также имеет вывод в виде металлизированной 1лощадки на торец слоя 3. Пластины 6 имеют выводы к виде металлизироваииых канавок на торцах подложек 1 и 5 и сое.чинены одна с другой иа11кой серебром или припое.м, содержащим серебро. Подложки 1 и 5 и слой 3 соединены .между собой клеем.

Меаидровьп проводник 2 является направляющим для распространения в диэлектрических подложках секции квази-ТЕМ-волны. При этом фазовая задержка зависит от длины проводника 2, величин диэлектрических npOHnriaeMOCTeii подложек 1 и 5 и слоя 3 и коффицпента емкостной связи между соседними проводниками меандра. Изменением величины емкости диода можно одновременно управлять значением эффективной диэлектрической проницаемости в канале распростраиения электромагнитной волны и коэффициентом связи между соседними полосками проводника 2. Когда величина e iкocти диода минимальна, между проводниками меандра получается больпшя е мкостная связь, обусловленная наличием пластины 4 и слоя 3 с больщой

0

диэлектрической прОнинаемостыо, при этом фазовый набег в липни минимален.

П р е д мет изобретения

Полосковый фазовраш,атель, содержащиГ экранируюндие пластины, две диэлектрические подложки, на одну из которых иаиесен центральный меандровый ироводник, и управляемый полупроводниковый диод, отличающийся тем, что, с целью расширения иределов регулировки фазы, между иодложками доиолнительно установлена металлическая пластина, отделенная от центрального проводника слоем материала с диэлектрической ироницаемостью, большей, на нример, в 2-3 раза диэлектрической проницаемости подложек, а между металлической и экраннруюш,ими пластинами включен упомянутый диод.