Изобретение относится к области полупроводниковых приборов,в частности, к кон струкции оптоэлектронного прибора. Известна конструкция оптоэлектронного прибора на основе монокристаллической структуры, представляющей собой полупроводниковое тело, на гранях которого распол жены источник света и фотоприемник. Исто ник света и фотопряемник выполнены на основе р - п-структуры. Известная конструкция обеспечивает доста точно высокий коэффициент передачи иалу чения от источника к фотоприемнику, так как отсутствуют потери света на отражение от границы раздела источник света-световод и световод - фотоприемник. Однако коэ|)ф№циент передачи в ней сущестзенно снижает ся, если фотоприемник не покрывает всей площади грани, В то же время для увеличения быстродействия прибора стремятся сделать площадь фотоприемника как можно меньше, так как при этом уменьшается емкость фото приемника (р-п-структуры). Таким образо известная конструкция не позволяет удовлет ворительно сочетать высокий коэффициент передачи сигнала к фотоприемнику с вь( быстродействием прибора. Кроме того, эта конструкция имеет значительйые потеря излучения через боковые грани за счет по тери излучений, падающего на эти грани под углом меньше угла полного внутреннего отражения, Цель изобретения - увеличение ко9ффицввг та передачи световой энергии в электрвчео кую и быстродействия оптоэлектронного пр борш. Это достигается тем, что предлагаемый оптоэлектронныГ прибор изготовляют в монокристаллической полупроводниковой структуры, выполненной в форме тела вр шения, по крайней мере часть образующей которого представляет собой эллиптическую кривую, причем в одном из фокусов этого тела вращения расположен источник света, f в другом - фотоприемник. Предлагаемая конструкция позволяет фокусировать излучение света на фотоприв нике за счет отражения излучения от вллнптической поверхности. Это, с одной сторонь/, позволяет уменьшить потерн излучения, а с
