Фотосимистор Советский патент 1985 года по МПК H01L31/00 

со ел

4

СП г Изобретение относится к светочувствительным полупроводниковым приборам на основе многослойных структур с р-п-переходами. Известны фотосимисторы на основе пятислойной структуры с зашунтирован ными внешними эмиттерными р-п-перехо дами, в которых проекция слоев элект ронного типа проводимости на- нижнюю или верхнкяо плоскость пластины не пе рекрывается, благодаря чему лолучают два встречно-параллельно включенных .тиристорных элемента, разделенных триодной структурой. Для переключения такого фотосимистора световой сигнал подают на периферийные участки в месте выхода р-п-переходов на поверхность. Цель изобретения - упрощение управления прибором с помощью светового потока. Предложенный фотосимистор отличается тем, что проекции внешних слоев электронного типа проводимости на нижнюю или верхнкяо поверхность Ш1ас тины перекрываются в области ocBeinae мого участка структуры. На фиг. t показан предложенный фо тосимистор, разрез по области управления; на фиг. 2 J а, б - то же, вид сзерху и снизу соответственноj в разрез по А-А. Фотосимистор содержит слой t исходного материала электронного типа проводимости с низкой концентрацией примеси, слои 2,3 полупроводника дырочного типа; слои 4,5 . сильнолёгированного полупроводника электронно5го типа, электронно-дырочные переходы 6-9, верхний 10 и нижний 11 металлические контакты, световой экран 12. Процесс включения р-п-р-п-структуры развивается сначала в освещаемой области, а затем переходит на второй участок, который расположен в случае прямого включения (- на верхнем электроде) на границе между областями 5 и 3 в месте выхода р-пперехода 9 на нижнюю поверхность пластины, а в случае обратного включения (V на верхнем электроде) на границе между областями 2 и 4, выходящей на верхнюю поверхность пластины. Второй участок включения расположен в области управления, в которой перекрываются проекции внешних слоев электронного типа проводимости на поверхности пластины. Повышение чувствительности структуры к световому потоку достигается за счет того, что перекрьшающиеся проекции имеют площадь, превышающую площадь освещаемого участка. Световой сигнал подается в области эмиттера, на котором не сказывается влияние шунтировки на эффективность эмиттерных р-п-переходов 8 и ;9. Если область перекрытия заходит за границу верхнего металлического контакта, а точнее за границу центрального отверстия, то область включения (имеется в виду второй участок включений) располагается под металлическим контактом, чем обеспечивается включение с высокими скоростями нарастания тока.

Гранта нвталмческзх

контакта

Фиг,2

1. ФОТОС№1ИСТОР на основе многослойной структуры, например п-р.-п- р-п-типа с заио'итированпьми внешними эмнттерными слоями электронного типа проводимости и со свободным, по крайней мере, с одной стороны структуры для доступа светового потока участком, отличающийся тем, что, с целью упрощения управления прибором с помощью светового потока, внешние слои электронного типа, 'проводимости выполнены так, что кх проекции на основные поверхности структуры перекрываются в области ' освещаемого участка.2. Фотоси№1стор по П.1, о т л и- ч. а ю щ и и' с я тем, что, с целью повышения стойкости прибора к высоким скоростям нарастания анодного тока, на освещаемой поверхности, на участке управления, непосредственно у контактов основного токосъема, структура содерла1т вспомогательные . области электронного «типа проводимости, отделенные друг от друга и от основной катодной области участками дырочного типа проводимости, выполненными, например, в виде полуколец.