Запоминающий элемент Советский патент 1974 года по МПК G11C11/22 

1

Известны заиоминающие элементы, выиолненные па основе сегнетоэлектрической пластины, например, монокристалла триглицинсульфата с нанесенными соответствующим образом проводящими и полупроводящими электродами. Однако эти элементы недостаточно надежны из-за явления «усталости сегнетоэлектрика, а также имеют малую помехоустойчивость.

Описываемый элемент отличается тем, что в ием сегнетоэлектрическая пластина выполнена из керамического твердого раствора, например, Pb/Zr, Ti, Sn/Оз, что иовыщает надежность устройства в работе и увеличивает помехоустойчивость элемента. В качестве полуироводниковой илеики может быть выбран легированный поверхностный слой сегнетоэлектрической пластины.

На фиг. 1 представлен описываемый запоминающий элемент, разрез; на фиг. 2 - схема включения элемента.

Основой элемента служит сегнетоэлектрическая пластина 1, выполненная из керамического твердого раствора с прямоугольной петлей диэлектрического гистерезиса, иапример, Pb/Zr, Ti, Sn/Оз- На грань пластины нанесен проводящий электрод 2, например, напылением или вжиганием индия или серебра. На другой грани нластины над электродом 2

размещена тонкая, толщиной порядка ЮОА, полупроводниковая пленка 3, изготовленная, например, напылением окиси олова или путем легирования новерхиостного слоя сегнетоэлектрической пластины. К краям полупроводниковой пленки 3 подключены проводящие электроды 4 и 5. К электроду 2 подключена схема записи информации (на чертежах не показана). Электроды 4 и 5 и расположенная между ними пленка 3, имеющая сопротивление R, а также внещний резистор б входят в схему считывания. Информация хранится в объеме сегиетоэлектрической пластины 1 между электродом 2 и пленкой 3, образующими конденсатор 7. На одной сегнетоэлектрической пластине монтируется ряд запоминающих элементов.

Запись информации на запоминающем элементе осуществляется подачей на электрод 2 импульса положительно (запись «1) или отрицательной (запись «О) полярности амплитудой, большей коэрцитивного ; 1апрял ения сегнетоэлектрика. По цепи записи электроды 4 н 5 н пленка 3 нмеют малое сопротивление на корпус 8 (землю), и в пластине 1 происходит поляризация сегнетоэлектрика. Носле прекращения действия импульса в сегнетоэлектрике длительное время сохраняется остаточная поляризация Р, направление коTopoii определяется хранимым числом («1 или «О).

Считывание основаио иа сегнетоэлектрическом эффекте поля, заключающемся в резком изменении числа носителей в поверхностном слое сегнетоэлектрика при изменении знака поляризации Р. Сопротивление R полупроводниковой пленки 3 сильно зависит от направления Р, т. е. от записанного числа. Импульс считывания, подаваемый на электрод 4, проходит или пе проходит на выходной электрод 5 в зависимости от величины R. О хранимом числе в запоминающем элементе судят по величине импульса считывания на резисторе 6, сопротивление которого выбирают равным среднему геометрическому максимального и минимального значения R.

Для считывания использоваться как видео-, так и радиоимпульсы. Считывание может также производиться световым лучом, так как коэффициент отражения и коэффициент пропускания полупроводниковой пленки вблизи края собственного поглощения зависят от знака Р.

Таким образом, в описываемом запомина ющем элементе считывание осуществляется без разрушения информации, а также существенно снижается число циклов переполяризации, что позволяет избавиться от явления «усталости сегнетоэлектрика.

Предмет изобретения

1. Запоминающий элемент, содержащий сегнетоэлектр:ическую пластину, на одной грани которой размещен проводящий электрод, а на другой - тонкая полупроводниковая пленка, к краям которой подключены другие

проводящие электроды, отличающийся тем, что, с целью повьппения надежности в работе и увеличения помехоустойчивости элемента, сегнетоэлектрическая пластина выполнена из твердого керам1ического раствора.

2. Запоминающий элемент по п. , отличающийся тем, что, в качестве полупроводииковой пленки выбран легированный поверхностный слой сегнетоэлектрической пластины.

/

Фиг.2