Мультивибратор Советский патент 1974 года по МПК H03K3/282 

1

Изобретение относится к области импульсной техники и может быть использовано в качестве задающего импульсного генератора с регулируемой частотой следования выходных импульсов.

Известны автоколебательные мультивибраторы на транзисторах разного типа проводимости с резистивно-емкостными коллекторнобазовыми связями. Их недостатком является ограниченный диапазон регулирования частоты следования выходных импульсов и жесткий режим возбуждения колебапнй по меньшей мере в части диапазона регулирования.

Целью данного изобретения является расширение диапазона регулирования частоты следования импульсов и обеспечение мягкого режима возбуждения колебаний.

Это достигается тем, что в предлагаемом мультивибраторе времязадающий резистор включен между точками соединения резистора и конденсатора носледовательных У С-цепей коллекторно-базовых связей, а между времязадающими конденсаторами введены два диода, подсоединенные катодамн к выводам конденсатора, подключенного к базе р-п-/; транзистора, а анодами - к выводам другого конденсатора, подключенного к базе и--р-п транзистора.

Принципиальная схема онисываемого мультивибратора нриведена на чертеже.

Транзисторы / и 2 включены по схеме с общим эмиттером. Транзистор / типа р-п-р эмиттером соединен с «плюсом источника питання 3, транзистор 2 типа п-р-п эмиттером соединен с «минусом этого источника. Базовое сопротивление включает в себя ограничительный резистор 4 и регулировочный резистор ,5, соединенные последовательно. Второй вывод резистора 4 соединен с выводом кондепсатора 6, катодом диода 7 и выводом резистора 8. Второй вывод резистора 8 соединен с базой транзнстора 1. Второй вывод резистора 5 соединен с анодом диода 9, выводом конденсатора 10 и выводом резистора 11. Второй вывод резистора 11 соединен с базой транзистора 2. Анод диода 7, второй вывод конденсатора 10 и коллектор транзистора / соединены с выводом резистора 12, второй вывод которого соединен с эмиттером транзистора 2. Катод диода 9, второй вывод конденсатора 6 и коллектор транзистора 2 соединены с выводом резистора 13, второй вывод которого соединен с эмиттером транзистора /.

Работает схема следуюн1,им образом. После включения источника питания резнсторы 8, 4, 5 и // задают начальный базовый ток, который одинаков для обоих транзисторов. Соотношенне между велнч1П1амн сонротивлениП коллекторных н базовых резисторов таково, что

ток, задаваемый резисторами 8, 4, 5 и 11, недостаточен для насыщения транзисторов. Транзисторы оказываются в активном режиме, чем обеснечивается мягкий ренсим возбуждения колебании. Р1з-за наличия петли ноложительной обратной связи начинается лавинный нронесс нереключения, который заканчивается насыщением обоих транзисторов. Насыщение обеснечивается не малым током, нротекаюиднм через резисторы 8, 4, 5 и 11, а импульсными токами большой амнлитуды, протекающими через конденсаторы 6 и 10 из коллектора одного транзистора в непь базы другого транзистора. Это позволяет совместить в данной схеме мягкий возбуждения колебаний с возможностью работы транзисторов в режимах отсечки и насыщения.

После насыщения транзисторов конденсаторы 6 и JO начинают быстро заряжаться. Конденсатор 6 заряжается через выходную цепь транзистора 2, ограничительный резистор 8 и эмиттерный переход транзистора /. Конденсатор 10 заряжается через выходную цепь транзистора /, ограничительный резистор 11 и эмиттерный переход транзистора 2. По мере заряда конденсаторов базовый ток транзисторов уменьшается и в определенный момент времени становится недостаточным для насыщения транзисторов. Транзисторы приобретают усилительные свойства, начинается процесс их лавинного запирания, и формирование выходного импульса заканчивается.

После запирания транзисторов 1 и 2 конденсаторы начинают разряжаться. Цепь разряда образована следующими радноэлементамн, включенными последовательно: резистором 12, конденсатором 10, резисторами 4 и 5, конденсатором 6, резистором 13. Запирающее напряжение, создаваемое на эмиттерных переходах транзисторов заряженными конденсаторами 5 и 6, уменьшается. Когда напряжение на эмиттерных переходах транзисторов перейдет нулевой уровень, транзисторы вновь отпираются, я процессы в схеме повторяются.

Регулируя величину резистора 5, можно в широких пределах изменять время разряда конденсаторов 6 и 10, а отсюда и частоту следования выходных импульсов. Предел изменения времязадающего сопротивления со стороны максимальных значений определяется в дапной схеме только допустимой нестабильностью частоты колебаний из-за влияния обратных токов транзисторов. Другие факторы, например, необходимость насыщения транзисторов во время формирования импульса, в дапном случае ограничений на накладывают. Для уменьшения нижнего предела величины регулируемого времязадающего сопротивления использованы диоды 7 и 5, образующие цепь нелинейной обратной связи и предотвращающие пасыщение транзисторов 1 к 2. Поэтому мягкий режим возбуждения колебаний удается обеспечить в весьма широком диапазоне регулирования частоты следования выходных импульсов.

Предмет изобретения

1. Мультивибратор на двух транзисторах разного типа проводимости с резистивно-емкостными коллекторпо-базовыми связями и ограничительными резисторами в цепи базы каждого транзистора, отличающийся тем, что,

с целью расширения диапазона регулирования частоты следования импульсов, времязадающий резистор включеп между точками соединения резистора и конденсатора последовательных С-цепей коллекторно-базовых связей.

2. Мультивибратор по п. 1, отличающийся тем, что, с целью дополнительного расширения диапазона регулирования с обеспечением мягкого режима возбуждения, между времязадающими конденсаторами введены два диода, подсоединенные катодами к выводам конденсатора, подключенного к базе р-п-/- транзистора, а анодами - к выводам другого конденсатора, подключенного к базе п-р-п

транзистора.

а +